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本发明提供了一种避免基于p型窄带隙有机小分子的场效应晶体管少数载流子注入的方法及场效应晶体管。该方法包括如下步骤：在源电极和p型窄带隙有机小分子层之间，以及在漏电极和p型窄带隙有机小分子层之间均负载p型宽带隙有机半导体。本发明实施例通过在源...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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