【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于发光二极管领域，具体涉及一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管，本专利技术还具体包括该二极管的制作方法。
技术介绍
发光二极管(Light-emitting diode, LED)是一种注入电致发光器件。GaN基材料的LED波长可调范围理论上覆盖了整个可见光波段，故其应用领域十分广阔。基于GaN基材料的氮化物LED器件在大屏幕全色显示、电视电脑背光源、汽车照明，道路照明和医学领域都有着广泛的应用。最近LED在室内照明中的应用也越变普遍，并预计会逐渐取代传统的日光灯成为新一代照明光源。虽然LED在节能和智能控制方面具有传统照明光源所没有的优势而越受关注，但目前LED的发光效率相对还是较低，还有很多技术问题需要进一步解决。例如从LED外延结构方面来说，如何优化外延结构，提高载流子的注入效率是进一步提高LED器件性能的关键之一。目前，氮化物LED器件的载流子注入方式为双极性输入，即电子和空穴分别从有有源层两端的电子注入层和空穴注入层输入到多量子阱有源层区中。在传统LED中，载流子的输入主要靠其本身的输运特性，同时由于传统有源层多量子阱中的电子基态能量相...
【技术保护点】
１．一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管，其特征在于至少包括：ｎ型电子注入层（１４）、耦合多量子阱结构有源层（１５）和ｐ型空穴注入层（１７）；所述耦合多量子阱结构有源层（１５）包括接近ｎ型电子注入层（１４）的电子注入加强量子阱层（５１），接近ｐ型空穴注入层（１７）的空穴注入加强量子阱层（５３）以及在这两个注入加强量子阱层（５１、５３）中间的复合量子阱区层（５２）；所述两个注入加强量子阱层（５１、５３）通过电子基态能量逐渐改变的多量子阱结构，使载流子趋向于注入复合量子阱区层（５２）。
【技术特征摘要】
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