从离子注入机移除分子裂片的技术制造技术

一种从离子注入机移除分子裂片的技术。在一实施例中，此技术可以是用于从离子注入机移除分子裂片的装置。该装置包括供应机构，其配置为耦接离子源室并向该离子源室供应进料材质。该装置还包括一种或多种氢吸收材质，其放置在进料材质的引流路径内，用以防止进料材质中的至少一部分含氢分子裂片进入离子源室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体的制程，并且尤其涉及从离子注入机 移除分子裂片的技术。
技术介绍
离子注入是一种利用高能离子直接轰击基板，而将化学物质沉积于基板内的制程。在半导体制程中，离子注入机主要用在改变目标材质(target material)的导电类型以及水平的掺杂制程中。集成电路(IC)基板及其薄膜结 构中的精密掺杂分布(doping profile)通常对于确保正常的IC效能是相当 重要的。为了达到想要的掺杂分布，会以不同的剂量以及不同的能量来进行 一种或多种物质的注入。图1描述了一种现有的离子注入机系统100,才艮据本专利技术的实施例，其 能用于低温离子注入的技术。如在大部份离子注入机系统中，系统100存在 于高真空环境内。离子注入^/L系统100包括由电源101偏置到一定电压的离 子源102。离子源102通常位于称为源外罩的真空室(未图示)内。离子注入机 系统100进一步包括离子束10所通过的光束线元件(beam-line component) 的复杂系列(compl ex series)。 光束线元^f牛的系歹l)包才舌例^口;及取电才及104、 90 °磁分析仪106、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从离子注入机移除分子裂片的装置，所述装置包括：　供应机构，配置为耦接到离子源室，并供应进料材质至所述离子源室；以及　一种或多种氢吸收材质，放置在所述进料材质的引流路径内，以防止所述进料材质的至少一部份含氢分子裂片进入所述离子 源室。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯多夫R汉特曼，杰汤玛斯舒尔，拉塞尔J罗，摩根D艾文斯，乔纳森吉罗德英格兰，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]