【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备绝缘体上锗硅(SGOI)的方法，更确切地说是一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法，属于微电子与固体电子学
技术介绍
制备更小尺寸、更高性能的器件一直是半导体工业发展的目标和方向，随着半导 体技术的发展，单纯依靠硅材料已经无法制备出足够高速，低功耗的晶体管。从90nm工艺 开始，应变硅(sSi)技术和绝缘体上硅(SOI)技术成为推动摩尔定律的两大利器。现在结 合了应变硅和SOI技术的绝缘体上应变硅技术受到了大家的日益重视，它被认为是下一代 CMOS工艺的优选衬底材料之一。绝缘体上应变硅材料一般分成两种，一种是应变硅材料直接结合到硅衬底的绝 缘层上，形成sSi/Si02/Si的三明治结构(sSOI)；另一种是应变硅和绝缘层之间还有一层 SiGe层，形成sSi/SiGe/Si02/Si的四层结构(SGOI)。sSOI中张应力的存在有利于提高电 子迁移率，但是对空穴迁移率的提升作用并不明显，而SGOI作为一种双沟道材料，由于应 变硅层中的张应力和SiGe层中的压应力的共同作用，材料中的电子和空穴迁移率同时得 到提高。对于制备...
【技术保护点】
一种利用层转移和离子注入技术制备ＳＧＯＩ材料的方法，其特征在于采用下述Ａ或Ｂ两种方法中任一种：方法Ａ①在衬底硅材料上使用化学气相沉积的方法依次外延Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］、Ｓｉ↓［ｅｐｉ］、Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］三种不同的薄膜，其中０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，依据外延材料中ｘ，ｙ值的不同，选择外延的Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］、Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］薄膜的厚度，使其都小于临界厚度；而Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］、Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］之间外延的Ｓｉ↓［ｅｐｉ结构的多层材料，Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］为外延材料的上表面，Ｓｉ↓［ｅｐｉ］为外延的Ｓｉ，Ｓｉ↓...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张苗，薛忠营，张波，魏星，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。