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本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅（ＳＧＯＩ）材料的方法。首先在体硅上外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉｅｐｉ／Ｓｉ１－ｙＧｅｙ结构的多层材料，其中０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ为外延材料的上表面。控制外延的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ和Ｓｉ１－ｙＧｅｙ...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司授权不得商用。