本发明专利技术公开了一种RFLDMOS的制作工艺方法，该方法在完成源、漏区的制作后，淀积用于阻挡金属硅化物的氧化硅之前，包括步骤：1）淀积氧化硅；2）去除有源区域的栅氧化硅，同时形成氧化硅侧墙；3）去除部分氧化硅侧墙；4）重新形成一层氧化硅。本发明专利技术通过先去除有源区域的栅氧化硅，再热氧化修复硅片表面，重新形成质量较好的氧化硅层，优化了法拉第环下的栅氧化硅，减弱了热载流子注入效应对射频器件的功率及可靠性的影响。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种RFLDMOS的制作工艺方法，该方法在完成源、漏区的制作后，淀积用于阻挡金属硅化物的氧化硅之前，包括步骤：1）淀积氧化硅；2）去除有源区域的栅氧化硅，同时形成氧化硅侧墙；3）去除部分氧化硅侧墙；4）重新形成一层氧化硅。本专利技术通过先去除有源区域的栅氧化硅，再热氧化修复硅片表面，重新形成质量较好的氧化硅层，优化了法拉第环下的栅氧化硅，减弱了热载流子注入效应对射频器件的功率及可靠性的影响。【专利说明】RFLDMOS的制作工艺方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及RFLDM0S的制作工艺方法。
技术介绍
常规的N型功率LDM0S (横向扩散金属氧化物半导体）器件的结构如图1所示，通 过光刻刻蚀定义出栅极，通过离子注入形成轻掺杂区、沟道和源漏极。在法拉第环下的氧化 层结构中，由于有源区域的栅氧化硅由于经过了栅极刻蚀及多次注入，比较容易出现损伤， 热载流子比较容易进到栅氧化硅3中，影响法拉第环下的氧化硅，从而加剧热载流子注入 效应对器件产生的影响，导致器件射频性能可靠性的降低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种RFLDMOS的制作工艺方法，它可以改善热载 流子注入效应对RFLDMOS器件的影响。 为解决上述技术问题，本专利技术的RFLDMOS的制作工艺方法，在完成源、漏区的制作 后，淀积用于阻挡金属硅化物的氧化硅之前，包括有以下工艺步骤： 1)淀积一层氧化硅； 2)去除有源区域的栅氧化硅，同时形成氧化硅侧墙； 3)去除部分氧化硅侧墙； 4)重新形成一层氧化硅。 本专利技术先通过氧化硅侧墙刻蚀及湿法刻蚀，去除有源区域的栅氧化硅，再通过一 步热氧化，修复硅片表面，重新形成质量较好的氧化层，这样就优化了法拉第环下的栅氧化 硅，减弱了热载流子注入效应对射频LDM0S器件的功率及可靠性的影响，使形成的RFLDMOS 器件的性能更加稳定。 【专利附图】【附图说明】 图1是常规N型功率LDM0S的器件结构示意图。 图2是本专利技术的功率LDM0S器件的制作流程示意图。 图3是本专利技术的功率LDM0S器件结构示意图。 图中附图标记说明如下： 1:P型重掺杂硅衬底 2 :P型轻掺杂外延 3 :栅氧化硅 4:多晶硅栅极 5:光刻胶 6 :N型轻掺杂区 7 :P型沟道 8 :N型重掺杂源极 8' ：N型重掺杂漏极 9 :氧化硅侧墙 10 :热氧化层 11 :氧化硅 12 :金属硅化物 13 :氧化硅 14 :钨硅化物 15 :氧化硅介质层 【具体实施方式】 为对本专利技术的
技术实现思路
、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下： 本专利技术制作功率LDM0S器件的方法，请参见图2所示，具体包括以下步骤： 步骤1，在P型重掺杂硅衬底1上生长一层P型轻掺杂外延2,然后在P型轻掺杂 外延2上生长一层厚度为30〇Am的栅氧化硅3,再在栅氧化硅3上淀积厚度为3000Am的多 晶硅，并进行一次离子注入，如图2 (a)所示。离子注入条件：注入磷离子，注入能量50? 60keV，注入剂量7el5?9el5个。 步骤2,用光刻胶5定义出多晶硅栅极4,通过干法刻蚀，形成栅极区，并通过离子 注入，形成RFLDMOS N型轻掺杂区6,如图2 (b)所示。离子注入条件：注入磷离子，注入能 量100?200keV，注入剂量2el2?3el2个。 步骤3,用光刻胶5定义出P型沟道7区，通过离子注入形成P型沟道7,通过快速 热退火做推进，如图2 (c)所示。离子注入条件：注入硼离子，注入能量200keV，注入剂量 1E12?1E13个。热退火温度为900?1000°C。 步骤4,用光刻胶5定义出N型重掺杂源区和漏区，进行N型离子注入，如图2 (d) 所示。离子注入条件：注入砷离子，注入能量50?60keV，注入剂量2E15个。 步骤5,去除光刻胶5,淀积一层厚度为500A的氧化硅，通过干法刻蚀去除有源区 域的氧化硅，同时形成氧化硅侧墙9。再经过湿法刻蚀，去除约25〇Am的氧化硅侧墙9,如图 2 (e)所示。 步骤6,通过热氧化，重新形成一层厚度为5〇Am的氧化硅（即热氧化层10)，如图2 (f)所示。热氧化温度为600?800°C。 步骤7,淀积一层厚度为80〇Am的氧化硅11，用于阻挡后续要形成的金属硅化物 12,如图2 (g)所示。 步骤8,通过光刻胶定义出需要形成金属硅化物(本实施例为Ti的硅化物）的区 域，通过干法刻蚀将这些区域打开，淀积一层Ti/TiN，然后通过600?800°C的快速热退火， 形成金属硅化物12,如图2 (h)所示。 步骤9,淀积一层厚度为500A的氧化硅13,以隔离后续的钨硅化物14,如图2 (i) 所示。 步骤10,淀积一层厚度为ΙΟΟΟΑ的钨硅化物14,如图2 (j)所示。 步骤11，用光刻胶定义出法拉第环的区域，通过干法刻蚀，形成法拉第环，如图2 00所示。 步骤12,淀积氧化硅介质层15,然后进行化学机械平坦化，此时，法拉第环下栅极 氧化硅的重构结构就形成了，如图2 (1)和图3所示。【权利要求】1. RFLDMOS的制作工艺方法，其特征在于，在完成源、漏区的制作后，淀积用于阻挡金属 硅化物的氧化硅之前，包括有以下工艺步骤： 1) 淀积一层氧化娃； 2) 去除有源区域的栅氧化硅，同时形成氧化硅侧墙； 3) 去除部分氧化硅侧墙； 4) 重新形成一层氧化硅。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)淀积的氧化硅的厚度为ro〇Am。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，采用干法刻蚀方法。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，采用湿法刻蚀方法。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，去除的氧化硅侧墙的厚度为 25〇Am〇6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，重新形成的氧化硅的厚度为 5〇Am〇7. 根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，步骤4)，采用热氧化方法重新形成氧 化硅。8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤4)，热氧化温度为600?800°C。【文档编号】H01L21/336GK104282569SQ201310282411【公开日】2015年1月14日 申请日期:2013年7月5日 优先权日:2013年7月5日 【专利技术者】蔡莹, 周正良, 马彪, 遇寒 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
RFLDMOS的制作工艺方法，其特征在于，在完成源、漏区的制作后，淀积用于阻挡金属硅化物的氧化硅之前，包括有以下工艺步骤：1）淀积一层氧化硅；2）去除有源区域的栅氧化硅，同时形成氧化硅侧墙；3）去除部分氧化硅侧墙；4）重新形成一层氧化硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡莹，周正良，马彪，遇寒，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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