温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种RFLDMOS的制作工艺方法，该方法在完成源、漏区的制作后，淀积用于阻挡金属硅化物的氧化硅之前，包括步骤：1）淀积氧化硅；2）去除有源区域的栅氧化硅，同时形成氧化硅侧墙；3）去除部分氧化硅侧墙；4）重新形成一层氧化硅。本发明...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。