【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是一种光学临近校正方法及光学临近校正模型的检查方法。
技术介绍
1、光学邻近校正(opticalproximity correction简称opc)技术已经广泛的应用于深亚微米集成电路的大规模生产中，而在光学临近校正后需要进行drc(design rulecheck)、mrc(mask rule check)等版图检查，以确保opc校正后的版图图形满足版图设计规则和掩膜版制造规则，避免过小、无法生产或掩膜版制造的图形出现失效。
2、其中，drc检查为由版图设计人员按照电路设计人员的电路设计图转换成版图后所进行的检查，因此，drc检查是设计规则检查，所述设计规则通常会包含上下版图层之间的关系，如通孔层版图中通孔图形到金属层版图中的金属图形的距离，而mrc检查则为考虑掩膜版是否可以制造，以及根据opc模型设置的图形最小值所进行的检查。
3、显然，现有技术中的drc检查和mrc检查均是针对掩膜版(或版图)中的每一单层版图进行本层图形校正和检查，并不考虑前层版图中的图形对其图形影响，并且，drc...
【技术保护点】
1.一种光学临近校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述当层版图和前层版图之间存在可靠性要求。
3.如权利要求2所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述可靠性要求包括：在预设的电路工作要求下，利用所述前层版图形成的半导体结构与利用所述当层版图形成的半导体结构非电性连接。
4.如权利要求3所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述预设的电路工作要求包括温度、湿度、电压或电流中的至少一种。
5.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述第一图形或所述第二图形为半密集图形。
6.如...
【技术特征摘要】
1.一种光学临近校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述当层版图和前层版图之间存在可靠性要求。
3.如权利要求2所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述可靠性要求包括：在预设的电路工作要求下，利用所述前层版图形成的半导体结构与利用所述当层版图形成的半导体结构非电性连接。
4.如权利要求3所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述预设的电路工作要求包括温度、湿度、电压或电流中的至少一种。
5.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述第一图形或所述第二图形为半密集图形。
6.如权利要求5所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述第一图形或所述第二图形为密集图形。
7.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述版图检查包括drc检查和mrc检查。
8.如权利要求1或7所述的光学临近校正方法，其特征在于，对进行所述光学临近校正后的所述前层版图和当层版图分别进行版图检查之后，所述光学临近校正方法还包括：
9.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，判断第一图形和所述第二图形之间的实际间距是否大于或等于所述最小间距之前，所述光学...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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