【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是一种光学临近校正方法及光学临近校正模型的检查方法。
技术介绍
1、光学邻近校正(opticalproximity correction简称opc)技术已经广泛的应用于深亚微米集成电路的大规模生产中，而在光学临近校正后需要进行drc(design rulecheck)、mrc(mask rule check)等版图检查，以确保opc校正后的版图图形满足版图设计规则和掩膜版制造规则，避免过小、无法生产或掩膜版制造的图形出现失效。
2、其中，drc检查为由版图设计人员按照电路设计人员的电路设计图转换成版图后所进行的检查，因此，drc检查是设计规则检查，所述设计规则通常会包含上下版图层之间的关系，如通孔层版图中通孔图形到金属层版图中的金属图形的距离，而mrc检查则为考虑掩膜版是否可以制造，以及根据opc模型设置的图形最小值所进行的检查。
3、显然，现有技术中的drc检查和mrc检查均是针对掩膜版(或版图)中的每一单层版图进行本层图形校正和检查，并不考虑前层版图中的图形对其图形影响，并且，drc检查也与可靠性、电路应用场景均无关，即drc检查并不考虑不同版图层中的图形之间的电压、电流大小对图形的校正影响，且现有技术在进行mrc检查后并不会再次回到drc检查阶段，因此现有技术势必会出现两层版图中的图形叠加后产生的图形不违反设计规则和掩膜版制造规则，但会产生可靠性问题的情况。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种光学临近校正方法及光学
2、第一方面，为了达到上述目的，本专利技术提供了光学临近校正方法，其特征在于，包括：
3、提供原始版图，所述原始版图包括前层版图和当层版图，所述前层版图包括第一图形，所述当层版图包括第二图形；
4、利用所述原始版图形成测试结构，并对所述测试结构进行可靠性测试，以确定所述第一图形和所述第二图形之间的最小间距；
5、对所述前层版图和当层版图分别进行光学临近校正；
6、对进行所述光学临近校正后的所述前层版图和当层版图分别进行版图检查，并在所述前层版图和所述当层版图均符合所述版图检查的情况下，判断第一图形和所述第二图形之间的实际间距是否大于或等于所述最小间距，若是，则将所述光学临近校正后的原始版图输出至掩膜版，否则，返回执行对所述前层版图和当层版图分别进行光学临近校正的步骤。
7、在其中一些可选的示例中，所述当层版图和前层版图之间存在可靠性要求。
8、在其中一些可选的示例中，所述可靠性要求包括：在预设的电路工作要求下，利用所述前层版图形成的半导体结构与利用所述当层版图形成的半导体结构非电性连接。
9、在其中一些可选的示例中，所述预设的电路工作要求包括温度、湿度、电压或电流中的至少一种。
10、在其中一些可选的示例中，所述第一图形或所述第二图形为半密集图形。
11、在其中一些可选的示例中，所述第一图形或所述第二图形为密集图形。
12、在其中一些可选的示例中，所述版图检查包括drc检查和mrc检查。
13、在其中一些可选的示例中，对进行所述光学临近校正后的所述前层版图和当层版图分别进行版图检查之后，所述光学临近校正方法还包括：
14、若所述前层版图和/或所述当层版图不符合版图检查，则返回执行对所述前层版图和当层版图分别进行光学临近校正的步骤。
15、在其中一些可选的示例中，判断第一图形和所述第二图形之间的实际间距是否大于或等于所述最小间距之前，所述光学临近校正方法还包括：
16、将进行所述光学临近校正后的所述前层版图和当层版图重叠；以及，
17、确定所述前层版图中的第一图形和所述当层版图中的第二图形之间的距离，并将该距离作为所述实际间距。
18、第二方面，基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种光学临近校正模型的建模方法，包括：
19、设置n组图形间距不同的测试图形；
20、利用所述测试图形，建立包含测试不同层版图之间的图形间距随版图中半密集图形影响的光学临近校正模型；
21、其中，所述测试图形位于原始测试版图中的前层版图和当层版图上，所述图形间距为位于所述原始测试版图中的不同层版图上的图形之间的间距，所述n大于等于1。
22、在其中一些可选的示例中，所述图形间距不同的n组测试图形中的每组测试图形中均包含一位于所述前层版图中的第一图形和位于所述当层版图中的第二图形。
23、在其中一些可选的示例中，所述原始测试版图中的当层版图和前层版图之间存在可靠性要求，所述可靠性要求包括：在预设的电路工作要求下，利用所述前层版图形成的半导体结构与利用所述当层版图形成的半导体结构非电性连接。
24、第三方面，基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种光学临近校正模型的检查方法，其特征在于，包括：
25、设置n组图形间距不同的测试图形，其中所述测试图形位于原始测试版图中的前层版图上和当层版图上；
26、对所述测试图形进行常规光学临近校正，得到第一校正图形；
27、对所述测试图形进行如上所述的光学临近校正方法，得到第二校正图形；
28、比对所述第一校正图形和所述第二校正图形是否一致，若否，则确定所述常规光学临近校正采用的光学临近校正模型存在可靠性缺陷。
29、在其中一些可选的示例中，所述图形间距为位于所述原始测试版图中的不同层版图上的图形之间的间距，所述n大于等于1。
30、在其中一些可选的示例中，所述图形间距不同的n组测试图形中的每组测试图形中均包含一位于所述前层版图中的第一图形和位于所述当层版图中的第二图形。
31、在其中一些可选的示例中，对所述测试图形进行常规光学临近校正包括：
32、对所述测试图形中的前层版图和当层版图分别进行光学临近校正以及版图检查，所述版图检查包括drc检查和mrc检查。
33、第四方面，基于如上所述的光学临近校正方法及光学临近校正模型的检查方法，本专利技术还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；
34、存储器，用于存放计算机程序；
35、处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的光学临近校正方法及光学临近校正模型的检查方法的步骤。
36、第五方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述光学临近校正方法及光学临近校正模型的检查方法的步骤。
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【技术保护点】
1.一种光学临近校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述当层版图和前层版图之间存在可靠性要求。
3.如权利要求2所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述可靠性要求包括：在预设的电路工作要求下，利用所述前层版图形成的半导体结构与利用所述当层版图形成的半导体结构非电性连接。
4.如权利要求3所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述预设的电路工作要求包括温度、湿度、电压或电流中的至少一种。
5.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述第一图形或所述第二图形为半密集图形。
6.如权利要求5所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述第一图形或所述第二图形为密集图形。
7.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述版图检查包括DRC检查和MRC检查。
8.如权利要求1或7所述的光学临近校正方法，其特征在于，对进行所述光学临近校正后的所述前层版图和当层版图分别进行版图检查之后，所述光学临近校正方法还包括：
9.如权利要求1所述的光学临
10.一种光学临近校正模型的建模方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的光学临近校正模型的建模方法，其特征在于，所述图形间距不同的N组测试图形中的每组测试图形中均包含一位于所述前层版图中的第一图形和位于所述当层版图中的第二图形。
12.如权利要求11所述的光学临近校正模型的建模方法，其特征在于，所述原始测试版图中的当层版图和前层版图之间存在可靠性要求，所述可靠性要求包括：在预设的电路工作要求下，利用所述前层版图形成的半导体结构与利用所述当层版图形成的半导体结构非电性连接。
13.一种光学临近校正模型的检查方法，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的光学临近校正模型的检查方法，其特征在于，所述图形间距为位于所述原始测试版图中的不同层版图上的图形之间的间距，所述N大于等于1。
15.如权利要求14所述的光学临近校正模型的检查方法，其特征在于，所述图形间距不同的N组测试图形中的每组测试图形中均包含一位于所述前层版图中的第一图形和位于所述当层版图中的第二图形。
16.如权利要求15所述的光学临近校正模型的检查方法，其特征在于，对所述测试图形进行常规光学临近校正包括：
...【技术特征摘要】
1.一种光学临近校正方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述当层版图和前层版图之间存在可靠性要求。
3.如权利要求2所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述可靠性要求包括：在预设的电路工作要求下，利用所述前层版图形成的半导体结构与利用所述当层版图形成的半导体结构非电性连接。
4.如权利要求3所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述预设的电路工作要求包括温度、湿度、电压或电流中的至少一种。
5.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述第一图形或所述第二图形为半密集图形。
6.如权利要求5所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述第一图形或所述第二图形为密集图形。
7.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，所述版图检查包括drc检查和mrc检查。
8.如权利要求1或7所述的光学临近校正方法，其特征在于，对进行所述光学临近校正后的所述前层版图和当层版图分别进行版图检查之后，所述光学临近校正方法还包括：
9.如权利要求1所述的光学临近校正方法，其特征在于，判断第一图形和所述第二图形之间的实际间距是否大于或等于所述最小间距之前，所述光学...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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