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本发明提供了一种光学临近校正方法及光学临近校正模型的检查方法，具体应用于半导体技术领域中。本发明中，通过将原始版图中位于上下位置的前层版图和当层版图之间的图形相互影响，利用其图形之间的最小间距进行具象化，并在对所述前层版图和当层版图分别进行...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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