半导体器件结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件结构，包括：位于前列的第一类多叉指MOS管结构，其余为第二类多叉指MOS管结构；第一氧化层，位于多叉指MOS管结构上；第一金属层，位于第一氧化层上，第一金属层包括多个间隔的金属线，每个多叉指MOS管结构均对应两根金属线，源极和漏极通过接触孔和金属线连通；第一类多叉指MOS管结构中，每个多叉指MOS管结构对应的两个接触孔的横截面均为长方形，每个多叉指MOS管结构对应的两个接触孔沿着栅极的径向对称设置，第二类多叉指MOS管结构中，每个多叉指MOS管结构对应的两个接触孔的横截面均为正方形，每个多叉指MOS管结构对应的两个接触孔沿着栅极的径向非对称设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种半导体器件结构。

技术介绍

1、在射频前端电路中，射频开关是必不可少的元件之一。射频开关可用于将天线电连接到rf系统的发射路径或接收路径，从而允许多个部件接入天线。通常情况下，射频开关可通过多个晶体管(如场效应晶体管(fet))堆栈配置组成。当射频开关处于断开(off)状态时，可被认为充当关于地的分流“高”阻抗。这种断开堆栈的射频开关一般将呈现电容和阻抗。随着移动通信技术的发展，出现了多种通信标准并存的局面，因此，需要集成多个模式和不同频段的射频功率放大器，并通过射频开关电路选择所需的射频功率放大器，来建立射频信号的接收和发射通道，以实现在不同的通信网络之间进行切换。

2、然而，射频开关关闭时，发现位于堆栈前列的部分mos管的偏压(vds)较高，例如前列两级mos管或者前列三级mos管甚至更多级mos管，明显高于后面的其余级的mos管的偏压(vds)，甚至出现从前列到后列的偏压均依次降低的情况，导致所有mos管的偏压不均匀。从而在对射频开关电路增加电压时，可能出现前列若干级mos管击穿的情况。

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【技术保护点】

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：半导体基底，多个所述多叉指MOS管结构均部分形成在所述半导体基底的表面，部分形成在所述半导体基底的内部。

3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体基底包括：

4.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，每一类多叉指MOS管结构均包括至少一个多叉指MOS管结构。

5.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，将位于前列的两级所述多叉指MOS管结构作为第一类多叉指MOS管结构。

6.如权利要求1所述的半...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：半导体基底，多个所述多叉指mos管结构均部分形成在所述半导体基底的表面，部分形成在所述半导体基底的内部。

3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体基底包括：

4.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，每一类多叉指mos管结构均包括至少一个多叉指mos管结构。

5.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，将位于前列的两级所述多叉指mos管结构作为第一类多叉指mos管结构。

6.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一类多叉指mos...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳盛楠，刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：