温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种半导体器件结构，包括：位于前列的第一类多叉指MOS管结构，其余为第二类多叉指MOS管结构；第一氧化层，位于多叉指MOS管结构上；第一金属层，位于第一氧化层上，第一金属层包括多个间隔的金属线，每个多叉指MOS管结构均对应两根金...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。