ＳＡＢ工艺器件的制作方法及ＳＡＢ工艺器件技术

本发明专利技术公开了一种ＳＡＢ工艺器件的制作方法，在ＭＯＳ器件栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行：在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层ＳＡＢ膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分ＭＯＳ器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的ＳＡＢ膜和氮化硅层；去除剩余的光刻胶，以常规步骤完成后续工艺。本发明专利技术还公开了一种采用上述方法得到的ＳＡＢ工艺器件，包括并排排列的多个晶体管结构，其中部分晶体管结构上方覆盖有ＳＡＢ膜，在所述ＳＡＢ膜与其所覆盖的晶体管结构之间还有一层氮化硅层。本发明专利技术通过在ＳＡＢ膜下多加一层氮化硅层，消除了ＳＡＢ膜刻蚀对侧墙造成的影响，使得ＳＡＢ工艺器件中的侧墙形貌非常均匀，保证了后续工艺的顺利进行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的制作方法，尤其是一种SAB工艺器件的制作方法。 本专利技术还涉及一种半导体器件，尤其是一种SAB工艺器件。
技术介绍
在电路中，常常会用到有自对准的金属硅化物(Salicide)和无自对准的金属硅 化物(Salicide)两种器件，因此要用到金属硅化物阻挡层(SAB)工艺。现有工艺采用四乙 氧基硅烷(TEOS)与氧气(O2)形成的氧化膜作为SAB膜，通过光刻和干刻来形成SAB区，但 是在对SAB膜进行光刻和刻蚀的过程中，会对刻蚀掉SAB膜部分的侧墙(spacer)造成影 响，使得有SAB膜的侧墙的形貌很难与没有SAB膜(non-SAB工艺)一致，如图1所示，从而 导致侧墙往往不均勻，使后续有源区的salicide形成不够。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种SAB工艺器件的制作方法，以及采用这种 一种SAB工艺器件的制作方法制作的SAB工艺器件，能够采用简单易行的步骤，使得SAB工 艺器件中的侧墙形貌非常均勻，以保证后续工艺的顺利进行。为解决上述技术问题，本专利技术SAB工艺器件的制作方法的技术方案是，在MOS器件 栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层SAB膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分MOS器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的SAB膜和氮化硅层；去除剩余的光刻胶，以常规步骤完成后续工艺。本专利技术还提供了一种采用上述SAB工艺器件的制作方法制作的SAB工艺器件，其 技术方案是，包括并排排列的多个晶体管结构，其中部分晶体管结构上方覆盖有SAB膜，在 所述SAB膜与其所覆盖的晶体管结构之间还有一层氮化硅层。本专利技术通过在SAB膜下多加一层氮化硅层，其步骤简单易行，消除了 SAB膜刻蚀对 侧墙造成的影响，使得SAB工艺器件中的侧墙形貌非常均勻，保证了后续工艺的顺利进行。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明图1为现有的SAB工艺器件的结构示意图；图2 图8为本专利技术SAB工艺器件的制作方法各步骤的示意图。具体实施例方式本专利技术公开了一种SAB工艺器件的制作方法，在如图2所示的MOS器件栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行在器件表面淀积一层氮化硅层，如图3所示；然后在氮化硅层上面淀积一层SAB膜，如图4所示；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分MOS器件结构上的光刻胶，如图5所 示；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的SAB膜和氮化硅层，如图6和图7所示；去除剩余的光刻胶，如图8所示，以常规步骤完成后续工艺。所述氮化硅层的厚度为80 100A。所述SAB膜采用TE0S，其厚度为400 500人。采用湿法刻蚀去除未覆盖光刻胶的SAB膜。采用干法刻蚀去除未覆盖光刻胶的氮化硅层。本专利技术还公开了一种采用上述SAB工艺器件的制作方法得到的SAB工艺器件，如 图8所示，包括并排排列的多个晶体管结构，其中部分晶体管结构上方覆盖有SAB膜，在所 述SAB膜与其所覆盖的晶体管结构之间还有一层氮化硅层。本专利技术通过在SAB膜下多加一层氮化硅层，在对SAB膜进行刻蚀的时候，氮化硅层 可以起到隔离作用，保护了下面的侧墙不会受到SAB膜刻蚀的影响。本专利技术步骤简单易行， 消除了 SAB膜刻蚀对侧墙造成的影响，使得SAB工艺器件中的侧墙形貌非常均勻，保证了后 续工艺的顺利进行。权利要求1.一种SAB工艺器件的制作方法，其特征在于，在MOS器件栅极侧墙制作完成以及源漏 区形成后，依次进行在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层SAB膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分MOS器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的SAB膜和氮化硅层；去除剩余的光刻胶，以常规步骤完成后续工艺。2.根据权利要求1所述的SAB工艺器件的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度 为 80 100A。3.根据权利要求1所述的SAB工艺器件的制作方法，其特征在于，所述SAB膜采用 TE0S，其厚度为400 500A。4.根据权利要求1所述的SAB工艺器件的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除未 覆盖光刻胶的SAB膜。5.根据权利要求1所述的SAB工艺器件的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除未 覆盖光刻胶的氮化硅层。6.一种采用如权利要求1 5中任意一项所述的SAB工艺器件的制作方法得到的SAB 工艺器件，其特征在于，包括并排排列的多个晶体管结构，其中部分晶体管结构上方覆盖有 SAB膜，在所述SAB膜与其所覆盖的晶体管结构之间还有一层氮化硅层。全文摘要本专利技术公开了一种SAB工艺器件的制作方法，在MOS器件栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层SAB膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分MOS器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的SAB膜和氮化硅层；去除剩余的光刻胶，以常规步骤完成后续工艺。本专利技术还公开了一种采用上述方法得到的SAB工艺器件，包括并排排列的多个晶体管结构，其中部分晶体管结构上方覆盖有SAB膜，在所述SAB膜与其所覆盖的晶体管结构之间还有一层氮化硅层。本专利技术通过在SAB膜下多加一层氮化硅层，消除了SAB膜刻蚀对侧墙造成的影响，使得SAB工艺器件中的侧墙形貌非常均匀，保证了后续工艺的顺利进行。文档编号H01L21/3205GK102136421SQ20101010050公开日2011年7月27日 申请日期2010年1月25日 优先权日2010年1月25日专利技术者孙庭辉, 左燕丽, 徐丹, 陈琛 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＳＡＢ工艺器件的制作方法，其特征在于，在ＭＯＳ器件栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行：在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层ＳＡＢ膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分ＭＯＳ器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆盖光刻胶的ＳＡＢ膜和氮化硅层；去除剩余的光刻胶，以常规步骤完成后续工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琛，左燕丽，徐丹，孙庭辉，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]