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本发明公开了一种ＳＡＢ工艺器件的制作方法，在ＭＯＳ器件栅极侧墙制作完成以及源漏区形成后，依次进行：在器件表面淀积一层氮化硅层；然后在氮化硅层上面淀积一层ＳＡＢ膜；在器件表面涂布光刻胶，通过曝光保留部分ＭＯＳ器件结构上的光刻胶；先后刻蚀掉未覆...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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