OLED显示器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种OLED显示器件及其制作方法，所述OLED显示器件包括：基板、于所述基板上自下而上依次形成的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、与所述基板相对设置的覆盖所述基板的盖板、及设于所述基板边缘与所述盖板之间的封装胶材；其中，所述电子传输层的材料为有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物，通过采用有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物来制作电子传输层，能够增强电子传输层的电子迁移率，平衡OLED显示器件的载流子注入传输，提升OLED显示器件的发光效率，同时降低成膜难度，提高成膜质量，保证OLED显示器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED显示器件及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示器件属于自发光型显示设备，通常包括分别用作阳极、与阴极的像素电极、和公共电极、以及设在像素电极与公共电极之间的有机发光层，使得在适当的电压被施加于阳极与阴极时，从有机发光层发光。有机发光层包括了设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层，其发光机理为在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子注入层和空穴注入层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。虽然OLED显示器件已经实现了商业生产，但其发光效率还有较大的提升空间。在现有技术中，OLED显示器件的电子传输层和空穴传输层均为有机层。而通常电子传输层的电子迁移率远低于空穴传输层的空穴迁移率，导致OLED显示器件内部载流子的传输不平衡，进而降低OLED显示器件的发光效率。有机金属卤化物钙钛矿材料(Organometalhalideperovskites)被认为是具有卓越光电性能的半导体材料，其具有很长的载流子扩散长度(高达1μm)、高载流子迁移率(约10cm2/Vs)，兼具无机半导体的光电特性及有机材料的低温成膜优点，非常适合低成本、大面积及柔性基底器件的工业化生产。然而，目前技术制备高质量的有机金属卤化物钙钛矿薄膜还相对困难，因此，有必要研发一种新的，结合有机金属卤化物钙钛矿材料，制作工艺较简单、稳定性高、成膜质量好、载流子注入传输平衡的OLED显示器件结构。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED显示器件，能够提高OLED显示器件的发光效率，提升OLED显示器件的性能。本专利技术的目的还在于提供一种OLED显示器件的制作方法，能够简单快捷的制作成膜制量好、载流子注入传输平衡、且发光效率高的OLED显示器件。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED显示器件，包括：基板、形成于所述基板上的阳极、形成于所述阳极上的空穴注入层、形成于所述空穴注入层上的空穴传输层、形成于所述空穴传输层上的发光层、形成于所述发光层上的空穴阻挡层、形成于所述空穴阻挡层上的电子传输层、形成于所述电子传输层上的电子注入层、形成于所述电子注入层上的阴极、与所述基板相对设置的覆盖所述基板的盖板、及设于所述基板边缘与所述盖板之间的封装胶材；所述电子传输层的材料为有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物。所述有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物中，有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50。所述有机电子传输材料为金属配合物材料、或咪唑类电子传输材料。所述机金属卤化物钙钛矿材料的结构式为：CH3NH3PbA3，其中A为氯元素、溴元素、及碘元素中的一种或多种的组合。所述电子传输层的膜厚为10nm至100nm之间。本专利技术还提供一种OLED显示器件的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板，在所述基板上自下而上依次形成阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、及空穴阻挡层；步骤2、提供有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物，利用有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物在所述空穴阻挡层上形成电子传输层；步骤3、在所述电子传输层上形成电子注入层，在电子注入层上形成阴极；步骤4、在所述基板的边缘上涂布封装胶，形成一圈封装胶材，提供盖板，用所述盖板覆盖所述基板并通过封装胶材与所述基板贴合，所述盖板与所述基板相对设置。所述有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物中，有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50。所述有机电子传输材料为金属配合物材料、或咪唑类电子传输材料。所述机金属卤化物钙钛矿材料的结构式为：CH3NH3PbA3，其中A为氯元素、溴元素、及碘元素中的一种或多种的组合。所述步骤2中采用湿法成膜工艺形成所述电子传输层，膜厚为10nm至100nm之间。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种OLED显示器件，包括：基板、形成于所述基板上的阳极、形成于所述阳极上的空穴注入层、形成于所述空穴注入层上的空穴传输层、形成于所述空穴传输层上的发光层、形成于所述发光层上的空穴阻挡层、形成于所述空穴阻挡层上的电子传输层、形成于所述电子传输层上的电子注入层、形成于所述电子注入层上的阴极、与所述基板相对设置的覆盖所述基板的盖板、及设于所述基板边缘与所述盖板之间的封装胶材；其中，所述电子传输层的材料为有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物，通过采用有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物来制作电子传输层，能够增强电子传输层的电子迁移率，平衡OLED显示器件的载流子注入传输，提升OLED显示器件的发光效率，同时降低成膜难度，提高成膜质量，保证OLED显示器件的稳定性。本专利技术还提供一种OLED显示器件的制作方法，能够简单快捷的制作成膜制量好、载流子注入传输平衡、且发光效率高的OLED显示器件。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的OLED显示器件的结构图；图2为本专利技术的OLED显示器件的制作方法的流程图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术提供一种OLED显示器件，包括：基板10、形成于所述基板10上的阳极20、形成于所述阳极20上的空穴注入层30、形成于所述空穴注入层30上的空穴传输层40、形成于所述空穴传输层40上的发光层50、设于所述发光层50上的空穴阻挡层60、形成于所述空穴阻挡层60上的电子传输层70、形成于所述电子传输层70上的电子注入层80、形成于所述电子注入层80上的阴极90、与所述基板10相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示器件，其特征在于，包括：基板(10)、形成于所述基板(10)上的阳极(20)、形成于所述阳极(20)上的空穴注入层(30)、形成于所述空穴注入层(30)上的空穴传输层(40)、形成于所述空穴传输层(40)上的发光层(50)、形成于所述发光层(50)上的空穴阻挡层(60)、形成于所述空穴阻挡层(60)上的电子传输层(70)、形成于所述电子传输层(70)上的电子注入层(80)、形成于所述电子注入层(80)上的阴极(90)、与所述基板(10)相对设置的覆盖所述基板(10)的盖板(100)、及设于所述基板(10)边缘与所述盖板(100)之间的封装胶材(110)；所述电子传输层(70)的材料为有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示器件，其特征在于，包括：基板(10)、形成于所述基
板(10)上的阳极(20)、形成于所述阳极(20)上的空穴注入层(30)、形成
于所述空穴注入层(30)上的空穴传输层(40)、形成于所述空穴传输层(40)
上的发光层(50)、形成于所述发光层(50)上的空穴阻挡层(60)、形成于所
述空穴阻挡层(60)上的电子传输层(70)、形成于所述电子传输层(70)上
的电子注入层(80)、形成于所述电子注入层(80)上的阴极(90)、与所述基
板(10)相对设置的覆盖所述基板(10)的盖板(100)、及设于所述基板(10)
边缘与所述盖板(100)之间的封装胶材(110)；
所述电子传输层(70)的材料为有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛
矿材料的混合物。
2.如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述有机电子传输
材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物中，有机电子传输材料与有机金属
卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50。
3.如权利要求2所述的OLED显示器件，其特征在于，所述有机电子传输
材料为金属配合物材料、或咪唑类电子传输材料。
4.如权利要求2所述的OLED显示器件，其特征在于，所述机金属卤化物
钙钛矿材料的结构式为：CH3NH3PbA3，其中A为氯元素、溴元素、及碘元素
中的一种或多种的组合。
5.如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述电子传输层(70)
的膜厚为10nm至100nm之间。
6.一种OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭其明，李先杰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44