纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种纳米复合堆叠锌锑‑锗碲相变存储薄膜及其制备方法，该存储薄膜的总厚度为40‑60 nm，结构通式为ZnSb(a)/GeTe(b)，其中a和b分别表示ZnSb薄膜和GeTe薄膜的厚度，且1<a<49 nm，1<b<49 nm。本发明专利技术通过磁控溅射的方法对结晶温度高的Zn‑Sb材料和相变速度快的Ge‑Te材料进行交替溅射以制备出一种纳米复合堆叠相变存储薄膜，克服了单层相变材料各自的缺陷，实现优势互补后的纳米复合多层Zn‑Sb/Ge‑Te相变存储薄膜兼有热稳定性高和相变速度快的优点，且相变性能可以通过Zn‑Sb和Ge‑Te的厚度比及堆叠次序等参数进行进一步调控。

Nano composite stacking Zn sb Ge te phase change storage film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜及其制备方法
本专利技术涉及微电子材料
，具体涉及一种用于相变存储器的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜及其制备方法。
技术介绍
相变存储器（PCRAM）的存储原理是基于物质原子结构实现信息的存储，它与传统的DRAM、FLASH等基于电荷存储的存储器有着本质的区别。PCRAM是一种不受工艺节点缩小限制的存储技术，相反地，随着工艺节点的缩小和工艺水平的进步，PCRAM的潜在性能才能更好的凸显。在DRAM和Flash等存储器因CMOS工艺节点缩小（Scaling）而遭遇瓶颈的境况下，PCRAM有望成为未来工艺节点减小形势下的最具竞争力的存储技术之一。当然，在现有的工艺技术条件下，PCRAM的大规模、有效化的市场化应用还面临着进一步提高速度、减小功耗、降低成本、提升容量等诸多挑战。PCRAM器件性能主要取决于相变存储薄膜性能。当前应用最为广泛的相变材料是基于伪二元GeTe-Sb2Te3比例链上的合金薄膜材料，如Ge1Sb4Te7、Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5，特别是Ge2Sb2Te5组分综合性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜，其特征在于，总厚度为40-60 nm，结构通式为ZnSb(a)/GeTe(b)，其中a和b分别表示ZnSb薄膜和GeTe薄膜的厚度，且1<a<49 nm，1<b<49 nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜，其特征在于，总厚度为40-60nm，结构通式为ZnSb(a)/GeTe(b)，其中a和b分别表示ZnSb薄膜和GeTe薄膜的厚度，且1<a<49nm，1<b<49nm。


2.如权利要求1所述的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
1）清洗薄膜衬底基片；
2）安装好溅射靶材GeTe和ZnSb，先后开启机械泵和分子泵抽真空；
3）设定溅射气体流量、腔内溅射气压、靶材的溅射功率；
4）采用室温磁控溅射方法制备纳米复合堆叠ZnSb(a)/GeTe(b)相变存储薄膜：
（a）将基片旋转到GeTe靶位，开启GeTe的溅射电源，开始溅射GeTe薄膜，GeTe薄膜溅射完成后，关闭GeTe的交流溅射电源；
（b）将基片旋转到ZnSb靶位，开启ZnSb的溅射电源，开始溅射ZnSb薄膜，ZnSb薄膜溅射完成后，关闭ZnSb的交流溅射电源。


3.如权利要求2所述的纳米复合堆叠锌锑-锗碲相变存储薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1）中具体清洗薄膜衬底基片的过程为：
（a）将基...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴卫华，朱小芹，张勇，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32