相变化随机存取记忆体元件的形成方法技术

一种相变化随机存取记忆体(PCRAM)元件的形成方法包括：在底部电极上形成相变化元件并且在该相变化元件上形成顶部电极；在该相变化元件周围形成保护层；以及在形成该保护层之后，在该保护层周围形成含氮侧壁间隔物层。

The formation method of phase-change random access memory element

【技术实现步骤摘要】
相变化随机存取记忆体元件的形成方法
本申请是关于相变化随机存取记忆体。
技术介绍
快闪记忆体是一种广泛使用的非挥发性记忆体。然而，快闪记忆体却预期会遇到尺寸微缩的困难。因此，正在探索替代类型的非挥发性记忆体。在这些替代类型的非挥发性记忆体中有相变化记忆体(phasechangememory；PCM)。PCM是一种非挥发性记忆体，在该非挥发性记忆体中采用相变化元件的相位来表示数据的状态。PCM具有快速读写时间、非破坏性读取和高可微缩性等好处。
技术实现思路
在一些实施例中，一种方法，包括：在底部电极上形成相变化元件以及在该相变化元件上形成顶部电极；在该相变化元件周围形成保护层；以及在形成该保护层之后，在该保护层周围形成含氮侧壁间隔物层。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本揭露的各态样。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各种特征的尺寸。图1图示根据本揭示的记忆体元件的一些实施例的剖视图；图2图示了根据本揭示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变化随机存取记忆体元件的形成方法，其特征在于，包括：/n在一底部电极上形成一相变化元件并且在该相变化元件上形成一顶部电极；/n在该相变化元件周围形成一保护层；以及/n在该相变化元件周围形成该保护层之后，在该保护层周围形成一含氮侧壁间隔物层。/n

【技术特征摘要】
20181114 US 62/767,372;20190711 US 16/509,1051.一种相变化随机存取记忆体元件的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：林毓超，涂元添，余绍铭，李东颖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71