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一种相变化随机存取记忆体(PCRAM)元件的形成方法包括：在底部电极上形成相变化元件并且在该相变化元件上形成顶部电极；在该相变化元件周围形成保护层；以及在形成该保护层之后，在该保护层周围形成含氮侧壁间隔物层。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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