有机薄膜、有机薄膜晶体管以及电子设备制造技术

技术编号:24463990 阅读:60 留言:0更新日期:2020-06-10 17:52
公开了有机薄膜、有机薄膜晶体管以及电子设备,所述有机薄膜包括由化学式1A和1B之一表示的第一化合物和不同于所述第一化合物且由化学式2A和2B之一表示的第二化合物,其中,在化学式1A、1B、2A、和2B中,X

Organic thin film, organic thin film transistor and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
有机薄膜、有机薄膜晶体管以及电子设备对相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0153902的优先权和权益,将其全部内容通过引用引入本文中。
公开了有机薄膜、有机薄膜晶体管、以及电子设备(器件)。
技术介绍
平板显示器例如液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)显示器包括薄膜晶体管(TFT),薄膜晶体管是作为开关(转换器)的三端元件。正在积极地进行关于作为一个种类的薄膜晶体管的包括有机半导体例如低分子半导体或聚合物半导体代替无机半导体例如硅(Si)半导体的有机薄膜晶体管(OTFT)的研究。有机薄膜晶体管可由于有机材料的特性而被制成纤维或膜,且因此作为用于柔性显示设备的核心元件正在引起关注。有机薄膜晶体管可使用溶液工艺例如喷墨印刷制造,并且可容易地应用于其中沉积工艺具有限制的大面积平板显示器。
技术实现思路
一种实施方式提供可应用于电子设备例如有机薄膜晶体管的有机薄膜。另一实施方式提供包括所述有机薄膜的有机薄膜晶体管。还一实施方式提供包括所述有机薄膜或所述有机薄膜晶体管的电子设备。根据一种实施方式,有机薄膜包括由化学式1A和1B之一表示的第一化合物和不同于所述第一化合物并且由化学式2A和2B之一表示的第二化合物。在化学式1A、1B、2A、和2B中,X11、X12、X21、和X22独立地为O、S、Se、Te、和NRa之一,Ar1和Ar2独立地包括至少一个取代或未取代的苯环、至少一个取代或未取代的呋喃环、至少一个取代或未取代的噻吩环、至少一个取代或未取代的硒吩环、至少一个取代或未取代的碲吩环、或前述环的两个或更多个的稠环,R11和R12彼此不同和/或R13和R14彼此不同,R21和R22彼此不同和/或R23和R24彼此不同,R11-R14、R21-R24、和Ra独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30烷芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C4-C30烷基杂芳基、卤素、氰基、或其组合,和n1和n2独立地为0或1。在一些实施方式中,所述有机薄膜可包括所述第一化合物和所述第二化合物的混合物。在一些实施方式中,Ar1和Ar2可独立地包括一至六个环,且Ar1和Ar2可独立地包括取代或未取代的呋喃环、取代或未取代的噻吩环、取代或未取代的硒吩环、和取代或未取代的碲吩环的至少一种。在一些实施方式中,Ar1和Ar2可独立地包括由取代或未取代的在组1中列出的基团表示的结构。[组1]在组1中,Y1和Y2独立地为O、S、Se、和Te之一,和*为连接点。Ar1和Ar2可相同。X11和X21可相同,且X12和X22可相同。R11和R21可独立地为氢,且R12和R22可彼此不同且独立地为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30烷芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C4-C30烷基杂芳基、卤素、氰基、或其组合。在一些实施方式中,R11和R21可独立地为取代或未取代的C1-C30直链烷基、取代或未取代的C2-C30直链烯基、取代或未取代的C2-C30直链炔基、取代或未取代的C1-C30直链烷氧基、或其组合,R12和R22可独立地为取代或未取代的C3-C30支化烷基、取代或未取代的C3-C30支化烯基、取代或未取代的C3-C30支化炔基、或其组合,且R11和R21可彼此不同或者R12和R22可彼此不同。在一些实施方式中,R11和R21可独立地为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、或其组合,R12和R22可独立地为取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30烷芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C4-C30烷基杂芳基、或其组合,且R11和R21可彼此不同或者R12和R22可彼此不同。在一些实施方式中,R11和R21可独立地为取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、或其组合,R12和R22可独立地为取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C4-C30烷基杂芳基、或其组合,且R11和R21可彼此不同或者R12和R22可彼此不同。在一些实施方式中,R12和R22可彼此不同且可独立地为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C7-C30烷芳基、和取代或未取代的C4-C30烷基杂芳基之一。在一些实施方式中,R22可包括具有比R12长的链的烷基。在一些实施方式中,R11和R21可相同或不同并且可独立地为氢、取代或未取代的C6-C30芳基、和取代或未取代的C3-C30杂芳基之一。在一些实施方式中,可以约10:90-约90:10的重量比包括所述第一化合物和所述第二化合物。在一些实施方式中,所述有机薄膜可进一步包括第三化合物,且所述第三化合物可为不同于所述第一化合物和所述第二化合物的取代或未取代的稠合多环杂芳族化合物。在一些实施方式中,X11、X12、X21、和X22可为S。在一些实施方式中,Ar1和Ar2可各自包括至少一个取代或未取代的噻吩环,且n1和n2可为1。在一些实施方式中,Ar1和Ar2可相同。在一些实施方式中,Ar1和Ar2可各自包括两个未取代的噻吩环。在一些实施方式中,可以约10:90-约90:10的重量比包括所述第一化合物和所述第二化合物。根据另一实施方式,提供包括所述有机薄膜的电子设备。根据另一实施方式,有机薄膜晶体管可包括栅电极、源电极和漏电极、以及与所述栅电极重叠的有机半导体层。所述源电极和漏电极可电连接至所述有机半导体层,其中所述有机半导体层可包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.有机薄膜,包括:/n由化学式1A和1B之一表示的第一化合物,和/n不同于所述第一化合物的第二化合物,所述第二化合物由化学式2A和2B之一表示:/n

【技术特征摘要】
20181203 KR 10-2018-01539021.有机薄膜,包括:
由化学式1A和1B之一表示的第一化合物,和
不同于所述第一化合物的第二化合物,所述第二化合物由化学式2A和2B之一表示:



其中,在化学式1A、1B、2A、和2B中,
X11、X12、X21、和X22独立地为O、S、Se、Te、和NRa之一,
Ar1和Ar2独立地包括至少一个取代或未取代的苯环、至少一个取代或未取代的呋喃环、至少一个取代或未取代的噻吩环、至少一个取代或未取代的硒吩环、至少一个取代或未取代的碲吩环、或前述环的两个或更多个的稠环,
R11和R12彼此不同和/或R13和R14彼此不同,
R21和R22彼此不同和/或R23和R24彼此不同,
R11-R14、R21-R24、和Ra独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30烷芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C4-C30烷基杂芳基、卤素、氰基、或其组合,和
n1和n2独立地为0或1。


2.如权利要求1所述的有机薄膜,其中所述有机薄膜包括所述第一化合物和所述第二化合物的混合物。


3.如权利要求1所述的有机薄膜,其中
Ar1和Ar2独立地包括一至六个环,
Ar1和Ar2独立地包括取代或未取代的呋喃环、取代或未取代的噻吩环、取代或未取代的硒吩环、和取代或未取代的碲吩环的至少一种。


4.如权利要求1所述的有机薄膜,其中Ar1和Ar2独立地包括由取代或未取代的在组1中列出的基团表示的结构:
[组1]



其中,在组1中,
Y1和Y2独立地为O、S、Se、和Te之一,和
*为连接点。


5.如权利要求1所述的有机薄膜,其中Ar1和Ar2相同。


6.如权利要求5所述的有机薄膜,其中
X11和X21相同,和
X12和X22相同。


7.如权利要求1所述的有机薄膜,其中
R11和R21为氢,和
R12和R22彼此不同且独立地为取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C3-C30杂环烷基、取代或未取代的C3-C30杂环烯基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30烷芳基、取代或未取代的C6-C30芳氧基、取代或未取代的C3-C30杂芳基、取代或未取代的C4-C30烷基杂芳基、卤素、氰基、或其组...

【专利技术属性】
技术研发人员:葛本恭崇朴正一姜铉范李恩庆李敦旭
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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