横向晶体管组件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体管组件及其制造方法。晶体管组件的实施例包括：半导体主体；布置在其中的有源晶体管区域；环状包围半导体主体中的有源晶体管区域的绝缘区域；在有源晶体管区域中的源区、漏区、基体区和漂移区，源区和漏区在半导体主体的横向方向上间隔开布置且基体区布置在源区和漂移区之间，而漂移区布置在基体区和漏区之间；门-和场电极，其布置在有源晶体管区域上方，与绝缘区域至少在漏区的范围内重叠，通过电介质层相对于有源晶体管区域绝缘，电介质层在基体区范围内具有第一厚度且在漂移区范围内逐段具有第二厚度，其大于第一厚度，且门-和场电极具有位于漏区上方的第一接触开口；和漏极，其通过第二接触开口与漏区接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种横向晶体管组件，尤其是具有场电极或场电极板电极(Feldplatte)的横向MOS晶体管组件，以及一种用于制造横向晶体管组件的方法。
技术介绍
例如在Linet al.: "A Novel LDMOS Structure With A Step Gate Oxide", IEDM95,963-964页中描述了这种组件。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种具有门极和场电极的晶体管组件，尤其是横向晶体管组件，该晶体管组件从外部被良好屏蔽；以及提供一种用于制造这种晶体管组件的方法。此外，本专利技术的目的在于，提供一种用于制造逐段地连续增大其厚度的电介质的方法。该目的通过根据权利要求1和23所述的晶体管组件、根据权利要求16所述的用于制造晶体管组件的方法以及根据权利要求26所述的用于制造电介质层的方法实现。从属权利要求的主题是本专利技术的设计方案和改进方案。本专利技术的第一实施例涉及一种晶体管组件，其具有半导体主体、布置在半导体主体中的有源晶体管区域和环状包围半导体主体中的有源晶体管区域的绝缘区域。此外，晶体管组件还具有在有源晶体管区域中的源区、漏区、基体区和漂移区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管组件，所述晶体管组件具有：半导体主体（100）；布置在所述半导体主体（100）中的有源晶体管区域（110）；环状包围所述半导体主体（100）中的所述有源晶体管区域的绝缘区域（120）；在所述有源晶体管区域（110）中的源区（11）、漏区（12）、基体区（13）和漂移区（14），其中所述源区（11）和所述漏区（12）在所述半导体主体（100）的横向方向上间隔开布置且所述基体区（13）布置在所述源区（11）和所述漂移区（14）之间，而所述漂移区（14）布置在所述基体区（13）和所述漏区之间；门?和场电极（20），其中所述门?和场电极（20）布置在所述有源晶体管区域（110）上方，与所述绝...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：埃哈德·兰德格拉夫，托马斯·伯特拉姆斯，克劳斯·达尔，亨宁·费克，安德烈亚斯·普拉比尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：