半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种提高半导体装置的性能的半导体装置及其制造方法。作为半导体元件的MISFET（Q1）形成于SOI基板（1）上。SOI基板具有：作为基体的支撑基板（2）；形成于支撑基板的主面（表面）上的绝缘层即作为埋设氧化膜的BOX层（3）；以及形成于BOX层上的半导体层即SOI层（4）。在SOI层形成有作为半导体元件的MISFET（Q1）。在元件分离区域（5）中，在SOI基板的主面上形成有元件分离槽（7），其贯通SOI层和BOX层，并且底面（7a）位于支撑基板（2）的厚度的中间位置，元件分离膜（8）被埋设于所形成的元件分离槽（7）中。并且，防氧化膜（9）介于BOX层（3）与元件分离膜（8）之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及能够有效地应用于具有在SOI基板上形成的半导体元件的。
技术介绍
在半导体装置中，通过在元件分离区域中的半导体基板上形成元件分离槽，并在所形成的元件分离槽中埋设绝缘膜来形成元件分离膜。在由形成有元件分离膜的元件分离区域所划定的激活区域中形成有各种半导体元件，由此制得半导体装置。形成于各个激活区域中的半导体元件能够通过形成于元件分离区域的元件分离膜实现彼此间的电气分离。在日本特开2010 - 263104号公报(专利文献I)中记载了这样的技术，在半导体基板的元件分离槽的侧面形成耐氧化性的侧壁膜，以防止元件分离槽的侧面的氧化。另夕卜，随着半导体装置的高度集成化的发展，MISFET (Metal InsulationSemiconductor Field Effect Transistor:金属绝缘半导体场效应晶体管)等场效应晶体管按照比例法则被细微化，但是随着细微化而产生短沟道特性或阈值电压的均匀性等性能下降的问题。另一方面，在大块基板上形成有埋设氧化膜即BOX (Buried Oxide)层和半导体层即SOI (Silicon On Insulator)层的S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板，具有基体、所述基体上的绝缘层、和所述绝缘层上的半导体层；半导体元件，形成于所述半导体层上；以及元件分离膜，在元件分离区域中被埋设在形成于所述半导体层及所述绝缘层的槽部中，防氧化膜介于所述绝缘层与所述元件分离膜之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：由上二郎，岩松俊明，堀田胜之，槙山秀树，井上靖朗，山本芳树，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：