专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
瑞萨电子株式会社
>
半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
>技术资料下载
下载半导体装置及其制造方法的技术资料
文档序号:8775200
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
提供一种提高半导体装置的性能的半导体装置及其制造方法。作为半导体元件的MISFET(Q1)形成于SOI基板(1)上。SOI基板具有:作为基体的支撑基板(2);形成于支撑基板的主面(表面)上的绝缘层即作为埋设氧化膜的BOX层(3);以及形成于...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。