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文档序号:8775200

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提供一种提高半导体装置的性能的半导体装置及其制造方法。作为半导体元件的MISFET(Q1)形成于SOI基板(1)上。SOI基板具有:作为基体的支撑基板(2);形成于支撑基板的主面(表面)上的绝缘层即作为埋设氧化膜的BOX层(3);以及形成于...
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