利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术大体上包含具有半导体材料的薄膜晶体管(TFT)，所述半导体材料包含氧、氮及一或多个选自于由锌、锡、镓、镉和铟所构成的群组中的元素以作为有源沟道。该半导体材料可用于底栅TFT、顶栅TFT和其他类型的TFT中。通过蚀刻来图案化TFT可形成沟道和金属电极。接着，使用该半导体材料当作蚀刻终止层来执行干法蚀刻而限定出源极/漏极。有源层的载流子浓度、迁移率以及与TFT其他层的界面可调整成预定值。调整方式可为改变含氮气体与含氧气体的流量比例、退火及/或等离子体处理所沉积的半导体膜，或是改变铝掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】
利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管本申请为申请日为2008年8月1日，申请号为200880106291.5、进入国家阶段日为2010年3月9日，名称为“利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例一般涉及具有半导体材料的场效应晶体管(FET)和薄膜晶体管(TFT)，该半导体材料包含氧、氮及一或多个选自于由锌、镓、镉、铟和锡所构成的群组中的元素。
技术介绍
因TFT阵列可用在常用于电脑和电视平面面板的液晶有源矩阵显示器(LCD)，因此目前潮流对这些装置特别感兴趣。LCD还设有发光二极管(LED)做为背光源。另外，有机发光二极管(OLED)已用于有源矩阵显示器，且这些OLED需要TFT来处理显示器的动作。以非晶硅制作的TFT已成为平面显示器产业的关键部件。可惜非晶硅本身有局限性，例如迁移率低。OLED所需要的迁移率至少是非晶硅的十倍以上。非晶硅的沉积温度高而造成Vth漂移。非晶硅需要高电流，而高电流可能导致OLED不稳定。另一方面，多晶硅的迁移率比非晶硅要高。多晶硅为结晶的，这会引起不均匀沉积。由于非晶硅的多项限制，导致OLED的发展困难重重。近年来，已本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含：在薄膜晶体管中的半导体层，所述半导体层包含选自于由以下物质构成的组中的化合物：包含氧、氮、锌、铟和镓的氮氧化物；以及包含氧、氮、锌和锡的氮氧化物。

【技术特征摘要】
2007.08.02 US 60/953,6831.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含：在薄膜晶体管中的半导体层，所述半导体层包含：包含氧、氮、锌、铟和镓的氮氧化物；或者包含氧、氮、锌和锡的氮氧化物。2.如权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管为顶栅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的晶体管，所述薄膜晶体管还包含：基板；栅极，所述栅极设置在所述基板上；栅介质层，所述栅介质层设置在所述栅极上；设置在所述栅介质层上的所述半导体层；以及源极与漏极，所述源极与漏极设置在所述半导体层上，且所述源极与漏极相隔开来而限定出有源沟道。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶洋，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：