【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率晶体管的领域。更具体地，本专利技术涉及具有减少的栅极电荷的集成MOS功率晶体管的领域。
技术介绍
功率供应装置是将电能或其它类型的能量提供到输出负载或负载组的设备或系统。术语“功率供应装置”可以指主功率分配系统和其它初级或次级能量源。开关模式电源、开关电源或SMPS是包括开关调节器的电源。虽然线性调节器使用晶体管(在该晶体管的有源区域中，对该晶体管施加偏置)来指定输出电压，但是SMPS以高速率在完全饱和与完全截止之间主动切换晶体管。然后，产生的矩形波形穿过低通滤波器(一般是电感器和电容器(LC)电路)，以获得近似的输出电压。由于SMPS具有高功率变换效率、小尺寸和轻重量以及低成本，因此SMPS目前是主要形式的电压变换设备。SMPS从例如电池或墙壁电源插座等源头获取输入功率，并根据耦合到SMPS输出的电路对功率的要求来将输入功率变换成短脉冲。MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)普遍用在SMPS中。MOSFET通常被单独地制造，作为分立晶体管。然后，将每个MOSFET连接到作为SMPS的部分的其它集成电路。以这种方式使用分立器件增加了整个...
【技术保护点】
一种功率晶体管，包括：a.掺杂的衬底，其包括在第一掺杂区域内的源极和沟道区域、在第二掺杂区域内的漏极、桥、第一过渡区域和第二过渡区域、以及在所述第二掺杂区域内的沟槽，其中所述沟槽形成在所述衬底的第一表面中，并且所述沟槽填充有绝缘材料，此外，其中所述沟道区域位于所述源极与所述第一过渡区域之间，所述第一过渡区域位于所述沟道区域与所述桥之间，所述桥位于所述第一过渡区域与所述第二过渡区域之间，所述第二过渡区域位于所述桥与所述沟槽之间，并且所述沟槽位于所述第二过渡区域与所述漏极之间；b.栅极氧化层，其位于所述衬底的所述第一表面上；c.栅极，其位于所述栅极氧化层上和位于所述沟道区域和所...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·M·麦格雷戈，V·坎姆卡，
申请(专利权)人：马克西姆综合产品公司，
类型：发明
国别省市：
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