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本发明涉及具有薄栅极氧化层和低栅极电荷的集成MOS功率晶体管。分离栅极功率晶体管包括横向配置的功率MOSFET，其包括掺杂的硅衬底、在衬底的表面上形成的栅极氧化层、以及在栅极氧化层之上形成的分离多晶硅层。多晶硅层被切割成两个电隔离的部分：形...
该专利属于马克西姆综合产品公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克西姆综合产品公司授权不得商用。

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