鳍式双极结型晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种鳍式双极结型晶体管。根据一示例性实施方式，鳍式双极结型晶体管（BJT）包括宽集电极，其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外，鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极和鳍式发射极形成，以及外延发射极为鳍式BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在鳍式发射极上，且可包括多晶硅。此外，鳍式基极和鳍式发射极各自可包括单晶硅。本实用新型专利技术提供了一种具有相比常规BJT改善后的性能的BJT，且该BJT的制造能与CMOS工艺结合。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术总体上属于半导体器件领域。更具体地，本技术涉及双极结型晶体管的制造。
技术介绍
双极结型晶体管(BJT)常被用于放大和开关应用中。因此，期望将BJT的制造结合到互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺中。采用BiCMOS (双极CMOS)工艺制造的常规BJT包括具有NPN或PNP掺杂结构的相邻掺杂半导体区。该相邻掺杂区包括发射极、基极和集电极。在BiCMOS工艺(本申请中也将其简称为“CMOS工艺”)中，常规BJT的制造与横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的制造结合在一起。常规BJT的集电极可在衬底中形成。利用在衬底中形成横向MOSFET的阱(well)的步骤，常规BJT的基极可形成在集电极中。此外，利用在衬底中形成横向MOSFET的源极和漏极的步骤，常规BJT的发射极 可形成在基极中。然而，用CMOS工艺制造的常规BJT性能不佳，且因而不适于高性能应用。常规BJT性能不佳的一个原因是发射极一定要远小于基极。因此，常规BJT具有高发射极串联电阻和电流传导能力。常规BJT性能不佳的另一原因是其基极-发射极结未被良好定义。因此，常规BJT具有很高的基极漏电流。将期望提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍式双极结型晶体管，包括：宽集电极，其位于半导体衬底中；鳍式基极，其被置于所述宽集电极上方；鳍式发射极和外延发射极，其被置于所述鳍式基极上方；其中，所述鳍式双极结型晶体管的窄基极?发射极结通过所述鳍式基极和所述鳍式发射极形成，且其中，所述外延发射极为所述鳍式双极结型晶体管提供增强的电流传导性。

【技术特征摘要】
2011.09.27 US 13/246,7101.一种鳍式双极结型晶体管，包括 宽集电极，其位于半导体衬底中； 鳍式基极，其被置于所述宽集电极上方； 鳍式发射极和外延发射极，其被置于所述鳍式基极上方； 其中，所述鳍式双极结型晶体管的窄基极-发射极结通过所述鳍式基极和所述鳍式发射极形成，且其中，所述外延发射极为所述鳍式双极结型晶体管提供增强的电流传导性。2.根据权利要求I所述的鳍式双极结型晶体管，其中，所述外延发射极外延形成在所述鳍式发射极上。3.根据权利要求I所述的鳍式双极结型晶体管，包括位于所述鳍式基极以下的基极阱，其中，所述基极阱位于所述宽集电极中。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏维，陈向东，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：实用新型
国别省市：