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本实用新型提供了一种鳍式双极结型晶体管。根据一示例性实施方式，鳍式双极结型晶体管（BJT）包括宽集电极，其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外，鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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