双极型晶体管的形成方法技术

一种双极型晶体管的形成方法，所述双极型晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成N型集电极；在所述N型集电极表面形成P型基极，所述P型基极表面具有自然氧化形成的氧化层；在所述P型基极上形成N型发射极；对所述P型基极和N型发射极进行退火处理，降低发射极电阻。所述双极型晶体管的形成方法可以降低发射极电阻，提高双极型晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】
双极型晶体管的形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种双极型晶体管的形成方法。
技术介绍
双极型晶体管是构成现代大规模集成电路的常用器件结构之一，其操作速度快、饱和压降下、电流密度大且生产成本低。请参考图1至图4为现有技术的双极型晶体管的形成方法示意图。请参考图1，提供半导体衬底10，在所述半导体衬底10内形成N型埋层11以及位于所述N型埋层11内的集电极12。所述半导体衬底10的材料可以是硅或锗硅等半导体材料。对所述半导体衬底10内进行第一N型离子注入并扩散，形成所述N型埋层11，所述第一N型离子可以是锑离子；在所述半导体衬底10上形成具有开口的第一掩膜层（图中未示出），所述开口定义集电极的位置及图形，以所述第一掩膜层为掩膜对所述N型埋层11内进行第二N型离子注入，形成集电极12，所述第二N型离子为磷离子；然后去除所述第一掩膜层。请参考图2，在所述半导体衬底10表面形成覆盖所述N型埋层11和集电极12的P型外延层13。所述P型外延层13的材料为锗硅，所述P型外延层13作为基极。请参考图3，在所述P型外延层13表面形成具有开口的氧化层14，所述开口定义了后续形成的发射极与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成N型集电极；在所述N型集电极表面形成P型基极，所述P型基极表面具有自然氧化形成的氧化层；在所述P型基极上形成N型发射极；对所述P型基极和N型发射极进行退火处理，降低发射极电阻。

【技术特征摘要】
1.一种双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成N型集电极；在所述N型集电极表面形成P型基极，所述P型基极表面具有自然氧化形成的氧化层；在所述P型基极上形成N型发射极；对所述P型基极和N型发射极进行退火处理，降低发射极电阻；其中，在所述N型集电极表面形成P型基极的方法包括：在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；刻蚀所述第一绝缘层，在所述N型集电极表面形成第一开口，所述第一开口暴露出所述N型集电极的表面；形成填充满所述第一开口的P型基极；在所述P型基极表面形成N型发射极的方法包括：在所述第一绝缘层和P型基极表面形成基极多晶硅层，以及位于所述基极多晶硅层表面的第二绝缘层；刻蚀所述第二绝缘层和基极多晶硅层，形成位于所述P型基极表面的第二开口，所述第二开口暴露出部分P型基极的表面；在所述第二开口内形成N型多晶硅层，所述N型多晶硅层覆盖第二开口的内壁以及第二绝缘层表面；在所述N型多晶硅层表面形成图形化掩膜层，以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述N型多晶硅层和第二绝缘层，暴露出远离所述第二开口部分的基极多晶硅层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林益梅，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：