深槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种深槽绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明专利技术中，在基底上进行离子注入，形成掺杂扩散区，其中，所形成的掺杂扩散区在靠近沟槽的边缘区域扩散的厚度大于或者等于其中心区域扩散的厚度；然后依次形成基极层、发射极层、栅区、绝缘层、重掺杂区和集电极层，得到绝缘栅双极型晶体管。由于本发明专利技术所形成的掺杂扩散区在靠近沟槽的边缘区域扩散的厚度大于或者等于其中心区域扩散的厚度，使因表面效应而缺少掺杂的半导体与沟槽界面的掺杂浓度得到补偿，从而提高了工作电压。此外，通过形成具有圆滑深槽底，且上边沿圆滑的沟槽，能避免尖端效应导致的尖端放电效应，提高器件的击穿电压和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种深槽绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，包含以下步骤：在基底(001)上进行离子注入，形成掺杂扩散区(010)，其中，所述形成的掺杂扩散区(010)在靠近沟槽的边缘区域扩散的厚度大于或者等于其中心区域扩散的厚度；在形成所述掺杂扩散区(010)之后，依次形成基极层(024)、发射极层(025)、栅区(026)、绝缘层(027)、重掺杂区(019)和集电极层(022)，得到绝缘栅双极型晶体管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高时声，张挺，李宁宁，罗春来，吕建密，
申请(专利权)人：上海劲昕电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：