【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高集成电路双极型三极管抗辐射的方法，其特征是：该集成电路包括一个NPN双极型三极管，该三极管已经形成了体积可变厚度的氧化层，一种改善三极管抗辐射的方法组成步骤：去除可变厚度的氧化层；使三极管形成一个预设体积的第一个新的氧化层，且这一预设体积小于去除的氧化层的体积，以减少辐射对NPN双极型三极管损坏的概率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：包兴坤，
申请(专利权)人：苏州硅智源微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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