抗辐射SRAM时序控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗辐射SRAM时序控制电路，用于解决现有抗辐射SRAM时序控制电路在辐射环境下可靠性差的技术问题。技术方案是在存储器阵列中增加一行一列存储单元来跟踪存储器关键信号线包括字线和位线的状态，每次存储器读写操作都选中跟踪单元的行和列，将跟踪单元的字线和位线的状态反馈给时序控制单元。时序控制单元依据反馈信号及输入时钟产生SRAM的内部时序控制信号，实现数据的写入和读出。由于采用存储单元跟踪技术，整个时序完全依赖于存储器自身的速度变化自动调节，避免了因辐射引起的电路工作速度变化对SRAM时序产生以及对位线预充、数据写入、数据读出等关键操作的速度的影响，提高了抗辐射SRAM时序控制电路的可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

抗辐射SRAM时序控制电路
本技术涉及一种SRAM时序控制电路，特别是涉及一种抗辐射SRAM时序控制 电路。
技术介绍
静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)由于具有功耗小速度高 的特点，在空间科学和核科学
，被广泛用作航空航天电子系统、核检测仪器仪表、 高能物理实验及医学成像系统的信息存储设备。在这些应用环境中存在众多的宇宙射线或 高能粒子，半导体器件易受这些粒子的辐射产生各种辐射效应，包括非电离辐射效应和电 离辐射效应。总剂量电离辐射效应是电离辐射效应的一种，它通过电离作用在半导体电路 的电介质中引入额外的电子空穴对。在电场的作用下电子会移向导体/半导体，留下空穴 在电介质和导体/半导体界面，随着时间的增加，这种效应可以被积累，从而严重影响集成 电路的工作。总剂量电离辐射效应通常会导致MOS管的阈值电压和电流-电压曲线发生改 变，此外还会使寄生的NMOS器件不能完全截止，产生较大漏电流。这将使得SRAM中器件的 翻转速度和延时发生变化，导致SRAM内部时序的可控性变差，从而影响SRAM动作的准确性 和可靠性。SRAM主要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗辐射SRAM时序控制电路，包括存储器阵列，其特征在于还包括一行和一列跟踪存储单元，一行跟踪存储单元连接跟踪字线LWL_TRACK，一列跟踪存储单元连接跟踪位线BL_TRACK和BLB_TRACK；任意一行字线有效时，跟踪字线LWL_TRACK同时有效；当任意选中的存储单元进行读写操作时，跟踪列上对应的存储单元也会同时执行读写操作；在向存储阵列写数据时，跟踪列上固定写入数据0，否则需要同时检测0和1两种状态；当跟踪列输出数据DO_TRACK为0时，认为数据已写至位线，如果此时跟踪字线LWL_TRACK为1，则数据写入存储单元；在从存储阵列读数时，跟踪列输出DO_TRACK为0时，则认为实际...

【技术特征摘要】
1. 一种抗辐射SRAM时序控制电路，包括存储器阵列，其特征在于还包括一行和一列跟踪存储单元，一行跟踪存储单元连接跟踪字线LWL_TRACK，一列跟踪存储单元连接跟踪位线BL_TRACK和BLB_TRACK ;任意一行字线有效时，跟踪字线LWL_TRACK同时有效；当任意选中的存储单元进行读写操作时，跟踪列上对应的存储单元也会...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏晓敏，高德远，魏廷存，陈楠，高武，郑然，王佳，胡永才，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：实用新型
国别省市：