静态RAM制造技术

本发明专利技术涉及静态RAM。一种静态RAM包括：多条字线；多对局部位线；与所述多对局部位线和所述多条字线的交叉点相对应地排列的多个存储单元；针对所述多对局部位线中的每个布置的电容共享电路；连接多个电容共享电路的公共连接线；和连接到所述多对局部位线的一对全局位线，其中所述电容共享电路包括连接在彼此相对应的局部位线对与所述公共连接线之间的两个N沟道晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本文所讨论的实施例涉及静态RAM(随机存取存储器)。
技术介绍
静态RAM(SRAM)不需要如同DRAM(动态随机存取存储器)一样进行刷新，且因此以高速运作并用作高速存储器。另一方面，近年来，存在减少存储器的功耗的需求。为了实现具有较低功耗的存储器，优选减小工作电压。在DRAM中，如果减小了工作电压，就减小了存储单元中提供的电容器的充电电压，且因此，优选频繁执行刷新操作，因此，存在难以降低功耗的问题。结果，功·耗是通过减小SRAM的工作电压来减少的。常规SRAM具有多条字线和排列成彼此垂直的多对位线；多个静态存储单元，其与多条字线和多对位线的交叉点相对应地排列；多个列电路，其与每对位线相对应地排列；行译码器、列译码器、字线驱动器；和多个列开关。每个列电路具有感测放大器、预充电电路、均衡器、保持器电路、位线对分离开关等。图I为示出与一对位线相对应的一部分(S卩，普通SRAM的一列)的配置的图。此电路以位线对的组数来排列。如图I所示，SRAM具有沿横向平行延伸的多(n+1)条字线WLO至WLn、沿垂直方向平行延伸的一对位线BL和BLX、与所述多条字线和该对位线的交叉点相对应排列的多(n本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态RAM，包括：多条字线；多对局部位线；与所述多对局部位线和所述多条字线的交叉点相对应地排列的多个存储单元；针对所述多对局部位线中的每对布置的电容共享电路；连接多个电容共享电路的公共连接线；和连接到所述多对局部位线的全局位线对，其中所述电容共享电路包括连接在彼此相对应的局部位线对与所述公共连接线之间的两个N沟道晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森胁真一，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：