一种静态随机存储单元制造技术

本发明专利技术公开了一种静态随机存储单元，包括第一反相器，第二反相器，第一反馈电阻，第二反馈电阻，第一反馈晶体管以及第二反馈晶体管，第一反馈电阻与第一反馈晶体管并联耦接第一反相器的输出端与第二反相器的输入端，第二反馈电阻与第二反馈晶体管并联耦接第一反相器的输入端与第二反相器的输出端。本发明专利技术可以有效提高静态随机存储单元抗单粒子翻转的能力，更可保证静态随机存储单元在读写状态时具有较高的读写速度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种抗单粒子翻转效应的静态随机存储单J Li ο
技术介绍
静态随机存储单元(SRAM单元)是最常用的半导体存储器，它具有速度快，功耗低等优点。目前业界最常见SRAM单元结构为六管SRAM，如图I所示，它由6个晶体管组成。其中PMOS晶体管Pll和NMOS晶体管Nll构成第一反相器INVl，PMOS晶体管P22和NMOS晶体管N22构成第二反相器INV2。两个反相器交叉互锁，即第一反相器INVl的输出端SI 与第二反相器INV2的输入端$ (即PMOS晶体管P22和NMOS晶体管N22的栅极)相连，INV2的输出端S2与INVl的输入端Q (即PMOS晶体管Pll和NMOS晶体管Nll的栅极)相连。第一反相器INVl的输出端SI通过第二传输门晶体管N24与位线I相连，第二反相器INV2的输出端S2通过第一传输门晶体管N13与位线BL相连，而两个传输门晶体管均为NMOS管，其栅极均由字线WL控制，当字线WL为高电位“ I ”时，传输门晶体管导通，SRAM单兀进入读与状态。然而，当SRAM单元工作于辐射环境中时，高能粒子轰击单元的敏感区域会引发单粒子效应，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存储单元，包括第一反相器与第二反相器，其特征在于，还包括：第一反馈电阻；第一反馈晶体管，与上述第一反馈电阻并联耦接于上述第一反相器的输出端与上述第二反相器的输入端；第二反馈电阻；以及第二反馈晶体管，与上述第二反馈电阻并联耦接于上述第一反相器的输入端与上述第二反相器的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存储单元，包括第一反相器与第二反相器，其特征在于，还包括 第一反馈电阻； 第一反馈晶体管，与上述第一反馈电阻并联耦接于上述第一反相器的输出端与上述第二反相器的输入端； 第二反馈电阻；以及 第二反馈晶体管，与上述第二反馈电阻并联耦接于上述第一反相器的输入端与上述第二反相器的输出端。2.根据权利要求I所述的静态随机存储单元，其特征在于，还包括 第一 NMOS传输门晶体管，其源极耦接上述第一反相器的输入端，漏极耦接第一位线，栅极耦接字线； 第二 NMOS传输门晶体管，其源极耦接上述第二反相器的输入端，漏极耦接第二位线，栅极耦接上述字线。3.根据权利要求2所述的静态随机存储单元，其特征在于， 上述第一反馈晶体管及上述第二反馈晶体管的栅极耦接上述字线。4.根据权利要求3所述的静态随机存储单元，其特征在于，上述第一反相器包括第一PMOS晶体管与第一 NMOS晶体管，上述第一 PMOS晶体管的源极接电源，上述第一 NMOS晶体管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭奥，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：