【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种大容量非易失的内存芯片电路结构，属于微机系统芯片
技术介绍
RAM(随机访问存储器) 是微机系统的重要组成部分，具有访问速度快的特点，是所有访问设备中写入和读取速度最快的，取存延迟也和其他涉及机械运作的存储设备相t匕，也显得微不足道，被广泛用于微系统处理器与外设之间的缓存。但它存在掉电易失性、容量小的特点，尤其是在供电电压受外部环境影响产生波动及需要任何时候保持RAM数据应用场合中，普通的RAM电路存在无法克服的缺点。
技术实现思路
本技术目的是提供一种大容量非易失的内存芯片电路结构，提供一种新的SRAM电路设计，不但能大幅度提高RAM容量，同时为RAM提供了 2路额外的高效互备供电电源，从而解决
技术介绍
存在的上述问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种大容量非易失的内存芯片电路结构，包含多后备扩各芯片、王电源、后备电源一、后备电源_■和内存芯片，所述多后备扩容芯片的CCSOl至CCS03片选管脚分别连接内存芯片，多后备扩容芯片通过主电源与常备电源输入相连接，多后备扩容芯片通过后备电源一和后备电源二分别与一个3. 6V电池连接。所述内...
【技术保护点】
一种大容量非易失的内存芯片电路结构，其特征是包含多后备扩容芯片（1）、主电源（2）、后备电源一（3）、后备电源二（4）和内存芯片（5），所述多后备扩容芯片（1）的CCS01至CCS03片选管脚分别连接内存芯片（5），多后备扩容芯片（1）通过主电源（2）与常备电源输入相连接，多后备扩容芯片（1）通过后备电源一（3）和后备电源二（4）分别与一个3.6V电池连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：甘景福，许自刚，韩丹，姜才海，刘福强，袁燕岭，牛冠清，吴超，
申请(专利权)人：冀北电力有限公司唐山供电公司，北京华星恒业电气设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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