一种大容量非易失的内存芯片电路结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种大容量非易失的内存芯片电路结构，属于微机系统芯片技术领域。技术方案是：包含多后备扩容芯片（1）、主电源（2）、后备电源一（3）、后备电源二（4）和内存芯片（5），所述多后备扩容芯片（1）的CCS01至CCS03片选管脚分别连接内存芯片（5），多后备扩容芯片（1）通过主电源（2）与常备电源输入相连接，多后备扩容芯片（1）通过后备电源一（3）和后备电源二（4）分别与一个3.6V电池连接。本实用新型专利技术的有益效果是：可以大幅提高RAM容量，同时提供不间断的电源供给。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种大容量非易失的内存芯片电路结构，属于微机系统芯片

技术介绍
RAM(随机访问存储器) 是微机系统的重要组成部分，具有访问速度快的特点，是所有访问设备中写入和读取速度最快的，取存延迟也和其他涉及机械运作的存储设备相t匕，也显得微不足道，被广泛用于微系统处理器与外设之间的缓存。但它存在掉电易失性、容量小的特点，尤其是在供电电压受外部环境影响产生波动及需要任何时候保持RAM数据应用场合中，普通的RAM电路存在无法克服的缺点。
技术实现思路
本技术目的是提供一种大容量非易失的内存芯片电路结构，提供一种新的SRAM电路设计，不但能大幅度提高RAM容量，同时为RAM提供了 2路额外的高效互备供电电源，从而解决
技术介绍
存在的上述问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种大容量非易失的内存芯片电路结构，包含多后备扩各芯片、王电源、后备电源一、后备电源_■和内存芯片，所述多后备扩容芯片的CCSOl至CCS03片选管脚分别连接内存芯片，多后备扩容芯片通过主电源与常备电源输入相连接，多后备扩容芯片通过后备电源一和后备电源二分别与一个3. 6V电池连接。所述内存芯片是一组8*512K字节的SDRAM芯片，多后备扩容芯片通过片选的方式接入内存芯片。所述后备电源一和后备电源二连接的是锂电池。本技术的有益效果是，可以大幅提高RAM容量，同时提供不间断的电源供给。附图说明图I是本技术的主芯片连接图；图中1.多后备扩各芯片；2.王电源；3.后备电源一 ；4.后备电源_■ ；5.内存芯片。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。在实施例中，一种大容量非易失的内存芯片电路结构，包含多后备扩容芯片I、主电源2、后备电源一 3、后备电源二 4和内存芯片5，所述多后备扩容芯片I的CCSOl至CCS03片选管脚分别连接内存芯片5，多后备扩容芯片I通过主电源2与常备电源输入相连接，多后备扩容芯片I通过后备电源一 3和后备电源二 4分别与一个3. 6V电池连接。为系统提供三个电源输入，其中一个为5V主电源，两个3. 6V后备电源，后备电源根据电压可以实时在线无缝切换，当主电源2的电压无效时，后备电源将自动为系统提供电源供应，同时后备电源根据各自电压值决定哪一路后备提供实际的能量供应。在主电源2有效时，后备电源被多后备扩容芯片I自动隔离，防止漏电。所述内存芯片5是一组8X512K字节的SDRAM芯片，多后备扩容芯片I通过片选的方式接入内存芯片5。多后备扩容芯片I在一次片选的过程中采用16位地址的方式进行 内存数据的读写，因此一次片选可以访问两个SDRAM芯片，组成16 X 512K字节的内存空间，多后备扩容芯片I具有四种片选方案，因此可以接入4X16X512K字节的内存空间，从而达到扩容的设计需求。所述后备电源一 3和后备电源二 4连接的是锂电池。权利要求1.一种大容量非易失的内存芯片电路结构，其特征是包含多后备扩容芯片(I)、主电源(2)、后备电源一(3)、后备电源_. (4)和内存芯片(5)，所述多后备扩各芯片(I)的CCSOl至CCS03片选管脚分别连接内存芯片(5)，多后备扩容芯片(I)通过主电源(2)与常备电源输入相连接，多后备扩容芯片(I)通过后备电源一(3)和后备电源二(4)分别与一个3. 6V电池连接。2.如权利要求I所述的大容量非易失的内存芯片电路结构，其特征是所述内存芯片(5)是一组8X512K字节的SDRAM芯片，多后备扩容芯片(I)通过片选的方式接入内存芯片(5)。3.如权利要求I所述的大容量非易失的内存芯片电路结构，其特征是所述后备电源一(3)和后备电源二(4)连接的是锂电池。专利摘要本技术涉及一种大容量非易失的内存芯片电路结构，属于微机系统芯片
技术方案是包含多后备扩容芯片(1)、主电源(2)、后备电源一(3)、后备电源二(4)和内存芯片(5)，所述多后备扩容芯片(1)的CCS01至CCS03片选管脚分别连接内存芯片(5)，多后备扩容芯片(1)通过主电源(2)与常备电源输入相连接，多后备扩容芯片(1)通过后备电源一(3)和后备电源二(4)分别与一个3.6V电池连接。本技术的有益效果是可以大幅提高RAM容量，同时提供不间断的电源供给。文档编号G11C11/413GK202677857SQ201220332939公开日2013年1月16日 申请日期2012年7月11日 优先权日2012年7月11日专利技术者甘景福, 许自刚, 韩丹, 姜才海, 刘福强, 袁燕岭, 牛冠清, 吴超 申请人:冀北电力有限公司唐山供电公司, 北京华星恒业电气设备有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大容量非易失的内存芯片电路结构，其特征是包含多后备扩容芯片（1）、主电源（2）、后备电源一（3）、后备电源二（4）和内存芯片（5），所述多后备扩容芯片（1）的CCS01至CCS03片选管脚分别连接内存芯片（5），多后备扩容芯片（1）通过主电源（2）与常备电源输入相连接，多后备扩容芯片（1）通过后备电源一（3）和后备电源二（4）分别与一个3.6V电池连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：甘景福，许自刚，韩丹，姜才海，刘福强，袁燕岭，牛冠清，吴超，
申请(专利权)人：冀北电力有限公司唐山供电公司，北京华星恒业电气设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：