基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法技术

本发明专利技术提供了一种基于PNPN结构的SRAM电路，包括多条位线、多条字线、分别与每一条位线以及每一条字线相连的多个存储器单元、串联在每一条位线输入端的多个电位控制器件、串联在每一条位线输出端的多个反相器，其特征在于，存储器单元为PNPN二极管结构的双端器件。本发明专利技术的基于PNPN结构的SRAM，由于采取PNPN二极管作为存储器单元，占用面积小、功耗低，有利于SRAM的大规模集成及电路整体性能的提高。由于PNPN二极管独特的反转特性，控制两端电压差就能方便改写存储器单元存储的逻辑值，SRAM写入操作快、错误率低。此外，由于在位线输入端连接有电阻或MOSFET，输出端连接有反相器，SRAM电路读取速度快。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路器件及其读写方法，特别是涉及一种基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法。
技术介绍
当前广泛使用的存储器通常是基于金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的，因此简称为MOS存储器。MOS存储器最主要的产品是随机存取存储器(RAM)，一般分为随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。SRAM靠双稳态电路存储信息，不需要刷新，工作速度快，适合用于高速缓冲存储器。现有的SRAM—般由多个晶体管交叉耦合构成，例如采用6管、8管或9管单元作为 其存储单元，集成度低、功耗大。新型的薄膜电容耦合晶闸管(TCCT)虽然晶体管数量减少、面积减小，但依然是一种三端器件，功耗也并未大幅度降低，因此也不利于集成。另一种新型的存储单元是基于PNPN结构的两端存储单元，其可以高密度集成且制造简单、成本低廉，因此是未来SRAM发展方向。但是由于其是两端器件，与现有的晶体管三端器件的电学特性不同，其外围读写控制逻辑也将发生重大变化，现有的SRAM读写电路已经无法适用于新型的存储单元。总而言之，需要改进SRAM读写电路以适应新型的集成度高的PNPN结构的存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于PNPN结构的SRAM电路，包括多条位线、多条字线、分别与每一条位线以及每一条字线相连的多个存储器单元、串联在每一条位线输入端的多个电位控制器件、串联在每一条位线输出端的多个反相器，其特征在于，所述存储器单元为PNPN二极管结构的双端器件。

【技术特征摘要】
1.一种基于PNPN结构的SRAM电路，包括多条位线、多条字线、分别与每一条位线以及每一条字线相连的多个存储器单元、串联在每一条位线输入端的多个电位控制器件、串联在每一条位线输出端的多个反相器，其特征在于，所述存储器单元为PNPN 二极管结构的双端器件。2.如权利要求I的基于PNPN结构的SRAM电路，其中，所述PNPN二极管结构的双端器件具有正向阻断和正向导通两种双稳状态。3.如权利要求I的基于PNPN结构的SRAM电路，其中，所述电位控制器件为电阻或MOSFET。4.如权利要求I的基于PNPN结构的SRAM电路，其中，当PNPN二极管两端电压差大于等于正向导通电压且小于等于正向转折电压时，存储器单元保持其存储的逻辑信号。5.—种权利要求I的SRAM电路的写入方法,包括 选择与待写入的存储器单元相连的位线； 选择与待写入的存储器单元相连的字线； 调整所述位线与字线之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：童小东，梁擎擎，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：