一种SRAM位线漏电流补偿电路制造技术

一种SRAM位线漏电流补偿电路，作为SRAM电路的辅助电路，设有两个完全相同的补偿电路共同实现对SRAM主电路的辅助补偿。每个补偿电路设有两个输入∕输出端，一个控制信号CON，用于控制位线漏电流补偿电路的工作模式，每个电流补偿电路包括5个PMOS管和6个NMOS管，补偿电路在正常工作状态下通过检测主电路中两根位线上的电位变化率的变化情况，自动让主电路中放电较慢的一端位线信号放电更慢，让主电路中放电较快的一端位线信号放电更快，从而消除SRAM位线上较大漏电流对主电路的影响，为后续电路信号的正确识别提供帮助。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种SRAM位线漏电流补偿电路，属于集成电路设计

技术介绍
在如今的SRAM (静态随机存储器)应用中，越来越多的问题会随着技术的不断进步而不断凸显出来。其中一个重要的问题就是SRAM中的漏电流会随着器件阈值电压的不断减小而呈指数级不断增大。虽然漏电流在SRAM电路中的存在不可避免，但是过大的漏电流对SRAM的影响却是不能被忽略的，当SRAM电路中存在较大的位线漏电流时，会造成两根位线间的电压差的减小从而会导致后续电路无法正确识别信号，特别是过大的位线漏电流会对SRAM的正常读操作产生不可忽视的影响，因为它的存在会严重干扰后续电路SA对信号的正确识别。因此，当SRAM的位线上存在较大位线漏电流时，就必须采取措施以消除位 线漏电流对SRAM电路的不利影响，从而增强电路的稳定性。对于位线上存在较大漏电流的问题,K. Agawa, H. Hara, T. Takayanagi, and T.Kuroda 在 2001 的一篇名为《A Bitline Leakage Compensation Scheme for Low-VoltageSRAMs))的JSSC的文章中阐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SRAM位线漏电流补偿电路，其特征是，该电路作为SRAM电路的辅助电路，设有两个完全相同的补偿电路，每个补偿电路包括五个PMOS管P1~P5和六个NMOS管N1~N6；PMOS管P1~P5的源端均分别与各自的体端连接并连接电源电压VDD，NMOS管N1~N6的体端均连接电源地VSS，NMOS管N1的源端、NMOS管N2的源端、NMOS管N6的源端均分别与各自的体端连接，？PMOS管P1的漏端连接NMOS管N1的漏端，PMOS管P1的栅端与PMOS管P2的栅端及漏端、PMOS管P3的漏端以及NMOS管N3的漏端连接在一起，PMOS管P3的栅端与PMOS管P4的栅端及漏端、PMOS管P5的栅端...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭守标，吴秀龙，柏娜，李正平，孟坚，陈军宁，徐超，高珊，李瑞兴，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：实用新型
国别省市：