一种AMOLED电路结构制造技术

技术编号:13335734 阅读:68 留言:0更新日期:2016-07-12 13:09
本发明专利技术公开了一种AMOLED电路结构,具体包括第一电极板和第二电极板,所述第一电极板为阴极金属层,第二电极板为ITO电极层。通过使用阴极金属层和ITO电极层作为存储电容的两电极,使构的像素结构的开口率得到改善,同时也改善了显示装置的寿命,还能提高面板的色彩的纯度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种AMOLED电路结构,包括像素电容,所述像素电容包括第一电极板和第二电极板,其特征在于,所述第一电极板为阴极金属层,第二电极板为ITO电极层;所述ITO电极层通过导通孔与一金属层连接;所述ITO电极层上依次覆盖有保护层、有机材料层和阴极金属层,所述阴极金属层作为所述AMOLED像素电容的第一电极板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:四川虹视显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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