AMOLED显示器件的制作方法及其结构技术

本发明专利技术提供一种AMOLED显示器件的制作方法及其结构。该AMOLED显示器件的制作方法通过在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜，并进行等离子轰击处理，形成栅极防反层(2)，以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜，并进行等离子轰击处理，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)，能够使得AMOLED显示器件具有良好的防止外部环境光反射的作用，提高AMOLED显示器件的显示亮度，延长AMOLED显示器件的使用寿命，降低AMOLED显示器件的厚度和制作成本。该AMOLED显示器件结构，通过设置栅极金属防反层(2)与蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)，具有良好的防止外部环境光反射的作用，具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED显示器件的制作方法及其结构。
技术介绍
有机发光二极管（OrganicLightEmittingDisplay，0LED)显示器件具有自发 光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围 宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示 装置。 0LED显示器件按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrix0LED， PM0LED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrix0LED，AM0LED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵 列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。 主动有机发光显示器（AMOLED)是一种利用直流电压驱动的薄膜发光器件， AMOLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和 玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，而且AMOLED显示器件可以做得更轻 薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能。 如图1所示，现有的AMOLED显示器件通常自下而上依次设置：玻璃基板100、薄膜 晶体管（TFT)阵列层200、像素电极层即阳极层300、有机发光层400、阴极层500、及封装盖 板600。其中，TFT阵列层200内的栅极、数据线、与源/漏极均为金属层，金属的反光能力 较强，而且分别设于有机发光层400上、下两侧的阳极层300与阴极层500 -般都采用反 光或半反光材料，同时，AMOLED显示器件内与有机发光层400相对的区域均为开口区域，使 得外部环境光可以进入AMOLED显示器件并发生强烈的反射，影响AMOLED显示器件的显示 效果。目前，解决AMOLED显示器件光反射的方法通常采用在玻璃基板100或封装盖板600 上贴合一片圆偏光片，如图1示意出了将原偏光片700贴合在玻璃基板100下表面，利用圆 偏光片700起到防反作用。但贴合圆偏光片带来的负面影响是：0LED显示器件的显示亮度 降低明显，为实现0LED显示器件与贴片前有同等的显示亮度，则功耗会相应增加，功耗的 增加又会带来AMOLED显示器件寿命的大幅缩短，整个AMOLED显示器件的厚度也增加了约 160ym甚至更多，另外，增加圆偏光片也会拉高AMOLED显示器件的制作成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种AMOLED显示器件的制作方法，能够在不增加圆偏光 片的前提下，使得AMOLED显示器件具有良好的防止外部环境光反射的作用，提高AMOLED显 示器件的显示亮度，延长AMOLED显示器件的使用寿命，降低AMOLED显示器件的厚度和制作 成本。 本专利技术的目的还在于提供一种MOLED显示器件结构，具有良好的防止外部环境光 反射的作用，具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。 为实现上述目的，本专利技术提供了一种AMOLED显示器件的制作方法，包括：在制作栅极之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面 粗糙化，形成栅极防反层的步骤； 以及在制作源/漏极与数据线之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰 击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层的步骤。 所述AMOLED显示器件的制作方法包括如下步骤： 步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰 击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层； 步骤2、在所述栅极防反层上沉积第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处 理，形成栅极； 步骤3、在所述栅极及栅极防反层上沉积栅极绝缘层； 步骤4、在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形 成岛状有源层； 步骤5、在所述岛状有源层与栅极绝缘层上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等 离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层，再对所述蚀刻阻挡与源 /漏极防反层进行图案化处理，制得分别暴露出所述岛状有源层两侧的第一过孔与第二过 孔； 步骤6、在所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层上沉积第二金属层，并对该第二金属层 进行图案化处理，形成源/漏极与数据线，所述源/漏极分别通过第一过孔与第二过孔接触 所述岛状有源层； 步骤7、在所述源/漏极、数据线及蚀刻阻挡与源/漏极防反层上沉积钝化保护膜， 并对该钝化保护膜进行图案化处理，形成暴露出部分源/漏极的第三过孔； 步骤8、在所述钝化保护膜上沉积透明电极层，并对该透明电极层进行图案化处 理，形成像素电极层，所述像素电极层通过第三过孔接触部分源/漏极； 步骤9、在所述像素电极层与钝化保护膜上沉积像素隔离层，并对该像素隔离层进 行图案化处理，形成暴露出部分像素电极层的开口； 步骤10、采用蒸镀工艺在所述开口内形成有机发光层； 步骤11、在所述有机发光层与像素隔离层上溅射一层金属阴极层； 步骤12、使用封装盖板进行封装。所述步骤1中的无机膜的材料为二氧化硅，厚度为丨000~3000A;所述步骤2中的第一金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度 为1000~6000A; 所述步骤3中的栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合，厚度为 2000 ~5000 人；所述步骤4中半导体膜的材料为锌氧化物、铟锌氧化物、锌锡氧化物、铟镓锌氧化 物、铟锆锌氧化物中的一种，厚度为200~2000入；所述步骤5中的无机膜的材料为氧化娃，厚度为500~2000A;所述步骤1与步骤5中进行等离子轰击处理所使用的气体为氮气、氧气、或二氧化 氮； 所述步骤6中第二金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合，厚度为 1000 ~6000A; 所述步骤7中钝化保护膜的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合，厚度为 2000~4000人； 所述步骤8中透明电极层的材料为氧化铟锡、或氧化铟锌，厚度为100~ 1000 A； 所述步骤9中的像素隔离层的材料为氧化娃，厚度为500~2000A;所述步骤10有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层 和电子注入层。 本专利技术还提供了一种AM0LED显示器件结构，包括阵列基板、及自下而上依次设于 所述阵列基板上的钝化保护膜、像素电极层、像素隔离层、有机发光层、金属阴极层、及封装 盖板； 所述阵列基板在栅极下设有表面粗糙的栅极金属防反层，在源/漏极与数据线下 设有表面粗糙的蚀刻阻挡与源/漏极防反层。 所述阵列基板包括基板、设于所述基板上的栅极防反层、设于所述栅极防反层上 的栅极、设于所述栅极及栅极防反层上的栅极绝缘层、于所述栅极上方设于所述栅极绝缘 层上的岛状有源层、设于所述岛状有源层与栅极绝缘层上的蚀刻阻挡与源/漏极防反层、 及设于所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层上的源/漏极与数据线；所述蚀刻阻挡与源/漏极 防反层具有分别暴露出所述岛状有源层两侧的第一过孔与第二过孔；所述源/漏极分别通 过第一过孔与第二过孔接触所述岛状有源层； 所述钝化保护膜设于源/漏极、数据线及蚀刻阻挡与源/漏极防反层上，并具有暴 露出部分源/漏极的第三过孔； 所述像素电极层设于所述钝化保护膜上，并通过第三过孔接触部分源/漏极； 所述像素隔离层设于像素电极层上，并具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括：在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层(2)的步骤；以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)的步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44