【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于内存，特别是有关于内存输出电路。
技术介绍
图I为一现有内存电路100的至少一部分的方框图。内存电路100包括存储单元阵列120及内存输出电路110。存储单元阵列120包括多个存储单元12fl2n。存储单元121 12n为只读存储器(read-only memory, ROM)单元且稱接于位线(bit line)及反位线(bit bar line)之间。每一存储单元121 12n包括两个NMOS晶体管且耦接至字线。举例来说，存储单元121耦接至字线WL1并包括两个NMOS晶体管121a与121b，而存储单元122耦接至字线WL2并包括两个NMOS晶体管122a与122b。存储单元12广12η的两个NMOS晶体管的闸极均耦接至对应的字线，而存储单元12f 12η的两个NMOS晶体管的源极均耦接至 地电压GND。每一存储单元121 12η均储存一个数据位，数据位的值可为“O”或“I”。存储单元12广12η的NMOS晶体管的漏极耦接至位线BL或反位线BLB。当存储单元储存的比特值为0，存储单元的右方NMOS晶体管的漏极与反位线BLB之间的连接在存储单元...
【技术保护点】
一种内存输出电路，接收存储单元阵列所输出的位线数据及反位线数据，包括：预充电电路，预充电第一节点及第一反节点，其中所述位线数据及所述反位线数据分别被输出至所述第一节点及所述第一反节点；前置放大器，依据于所述第一节点的第一电压及于所述第一反节点的第一反电压分别于第二节点及第二反节点产生第二电压以及第二反电压；以及感测放大器，侦测于所述第二节点的所述第二电压及于所述第二反节点的所述第二反电压以分别于第三节点及第三反节点产生第三电压以及第三反电压。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄世煌，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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