存储体结构制造技术

一种存储体结构。在印制板正面并排布置九个正面存储体单元：正面第一存储体单元、正面第二存储体单元、正面第三存储体单元、正面第四存储体单元、正面第五存储体单元、正面第六存储体单元、正面第七存储体单元、正面第八存储体单元、正面第九存储体单元。在印制板反面与正面存储体单元对应的位置处并排布置九个反面存储体单元：反面第一存储体单元、反面第二存储体单元、反面第三存储体单元、反面第四存储体单元、反面第五存储体单元、反面第六存储体单元、反面第七存储体单元、反面第八存储体单元、反面第九存储体单元。印制板的正面安装的九个正面存储体单元属于第一路存控。印制板的反面安装的九个反面存储体单元属于第二路存控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机技术，更具体地说，本专利技术涉及一种存储体结构以及存储体布置方法。
技术介绍
迄今为止，由各代存储器芯片构建的存储体是高性能计算领域不可缺少的基本要素。随着高性能处理器的迅猛发展，内存发展的相对滞后引入了“存储墙”问题，“存储墙”主要包括存储深度(取决于存储位宽和单比特存储密度)、存储带宽(取决于存储位宽和单比 特存储速率)等方面的瓶颈；与此同时，高性能计算本身对内存组装密度要求也日益严苛， 作为运算节点布局的重要固定部件，提高主存布局密度有利于提高组装密度。目前，符合 JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)规范的商用内存标准已经演进到第三代双倍数据速率(即DDR3)的内存，参考JEDEC标准文献《DDR3SDRAM Standard :JESD79-3E, July 2010》，该标准定义了 X8 (数据位数，此外还有X4和Xl 6)DDR3 SDRAM (存储器芯片，有的资料里也称为内存颗粒)互连信号及封装管脚分配(第I 8页)。此外，商用内存也存在统一的标准。参考三星公司的产品指导手册《DDR3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储体结构，其特征在于包括：印制板的正面并排布置的九个正面存储体单元：正面第一存储体单元、正面第二存储体单元、正面第三存储体单元、正面第四存储体单元、正面第五存储体单元、正面第六存储体单元、正面第七存储体单元、正面第八存储体单元、以及正面第九存储体单元；印制板的反面与所述九个正面存储体单元相对应的位置处并排布置的九个反面存储体单元：反面第一存储体单元、反面第二存储体单元、反面第三存储体单元、反面第四存储体单元、反面第五存储体单元、反面第六存储体单元、反面第七存储体单元、反面第八存储体单元、以及反面第九存储体单元；印制板的正面安装的所述九个正面存储体单元属于第一路存控；以及印制板的反面安装的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王彦辉，刘耀，贾福桢，金利峰，李滔，周培峰，
申请(专利权)人：无锡江南计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：