【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，特别是涉及一种电可操除可编程只读存储器及其减小读电流的方法。
技术介绍
随着技术的发展，微处理器的速度以每年60%的速度激增，但主存的速度仅以每年10%的速度增加，两者的差异越来越大，因此存储器的速度成为限制微处理器及存储器等系统性能的重要速度。存储器一般由存储阵列结构组成，存储阵列结构由一个或多个存储阵列(Array)组成，Array由多个排列整齐的存储单元组成。图I为现有技术一种存储器之存储阵列结构的示意图。如图I所示，该存储器的存储阵列结构包含多行存储阵列CrowO rowm),每 行的存储阵列包含两个子存储阵列第一子存储阵列101及第二子存储阵列102，第一子存储阵列101及第二子存储阵列102之间设有开关，且每个子存储阵列由n+1个排列整齐的存储单元b0 bn组成,每个存储单元用于存储一个bit。然而，上述的存储阵列结构却存在如下问题当数据bO-bn被擦除后即全为I时读出电流最大，这样增加读出功耗，不利于低功耗场合应用，并可能影响存储器的速度。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的不足，本专利技术之目的在于提供...
【技术保护点】
一种存储阵列装置，包含多行存储阵列，其特征在于：每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间设有开关，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列。
【技术特征摘要】
1.一种存储阵列装置，包含多行存储阵列，其特征在于每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间设有开关，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列。2.如权利要求I所述的存储阵列装置，其特征在于该编程标志位为O表示当前子存储阵列被编程过，该编程标志位为I表示当前子存储阵列未被编程过。3.如权利要求I所述的存储阵列装置，其特征在于该反相标志位为O表示原始数据被反相过后才写入当前子存储阵列，该反相标志位为I表示原始数据写入当前子存储阵列时没有被反相。4.一种减小存储阵列装置读电流的方法，包括如下步骤 步骤一，于每行存储阵列的每个子存储阵列首尾分别设置一编程标志位及一反相标志位并初始化； 步骤二，编程时，根据一预定规则检验确定反相标志位，并设定该子存储阵列的编程标志位为被编程过；以及 步骤三，根据确定的反相标志位将相应的数据及该反相标志位一起写入。5.如权利要求4所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于，该方法还...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。