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本发明公开一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，该装置包含多行存储阵列，每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间设有开关，其中，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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