本发明揭露了一种金属硅化物阻挡结构形成方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成阻挡层以及图形化光阻层；执行第一干法蚀刻工艺；执行第二干法蚀刻工艺，所述第二干法蚀刻工艺的功率小于所述第一干法蚀刻工艺的功率；执行湿法蚀刻...

本发明提出的共享字线的无触点分栅式闪存制造方法，将两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线、第一控制栅、第二控制栅、第一位线和第二位线施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享位线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的...

本发明提供了一种功率MOS管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的沟槽；形成于所述外延层中的体注入区；形成于所述体注入区中的源极注入区和接触孔，形成于所述体注入区和源极注入区之间的抗击穿离子注入区；形成于所述接触孔...

本发明涉及一种利用等离子体控制特征尺寸的半导体结构及其制造方法，在进行浅沟槽隔离的制程时，通过调整刻蚀第一沟槽时使用的等离子体，能够在第一沟槽的侧壁上形成有一个钝化层，因此，在硬掩模层刻蚀后的宽度不变时，利用了钝化层在硬掩模层两侧厚度的...

本发明的技术方案是提供一种多批次连续运行的方法，所述方法通过设备自动化系统，控制联机设置的涂胶显影机和曝光机，对接连输送到涂胶显影机的多批晶圆进行加工处理；通过设备自动化系统控制批次结束信号的发送，并且比较前后两批晶圆的制程要求，确定其...

本发明涉及一种适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置，其中，所述半导体设备包含传输腔，呈星型设置在所述传输腔周围的第一片匣、第二片匣和若干处理腔；所述抽真空装置包含真空泵，连接所述真空泵和传输腔、第一片匣以及第二片匣的抽气管道，以及...

本发明提供一种用于铜金属压焊的新型焊盘结构，该焊盘结构包含若干个以列阵形式排列的焊盘单元；焊盘单元包含设置在其边缘的框体，以及设置在该框体内的一个或若干个条状体。本发明的焊盘采用框体及其内部的条状体组合的结构，提高了焊盘的强度，使得不需...

本发明公开了一种晶片吸盘的真空发生装置，包含：通过管道相连的真空发生器和压缩空气管道，该真空发生器给晶片吸盘提供真空，还包含：气体阀，所述的气体阀设置在真空发生器与压缩空气管道之间；所述的气体阀的控制端通过管道与外部的晶片吸盘的工作阀的...

一种在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法，首先在浮栅上沉积偏移侧墙，其次对偏移侧墙102进行干法刻蚀，再对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度，最后对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。本发明能够控制残余氧化物的厚度，从而...

本发明公开一种笔形海绵掉落探测装置，化学机械研磨设备中设有第二阶段清洁器，该第二阶段清洁器包含用于放置晶圆的平台，以及设置在平台一侧的机械臂，机械臂的端部设有固定器，笔形海绵设置在该固定器中；本探测装置包含：固定支架，其固定在机械臂的端...

本发明提供了一种基于NiFe?AMR特性制作的MEMS三轴磁力计结构以及磁力计。三轴磁力计结构包括：布置在预定平面上的各项异性磁阻材料，以便形成三轴磁力计结构的X和Y轴，然后在磁阻材料上形成电极部件用作barber电极，用来改变电流方向...

一种用于ASP腔中等离子管器件盖体的密封装置，该密封装置包含设置在盖体和等离子管之间空隙内的O型密封圈，还包含增设的O型密封圈，该增设的O型密封圈设置在盖体上增设的凹槽内。本发明避免了O型密封圈较快地被等离子体氧化刻蚀，从而延长了O型密...

本发明公开一种设有限位器的前线机械手的末端执行器，其包含：基座；固定在基座上的驱动装置，驱动装置包含压缩机和弹簧；压缩机连通外接的压缩干燥空气；通过导轨架设在基座上的传动板，导轨方向与驱动装置轴向平行；该传动板连接压缩机的芯轴；弧形的机...

本发明公开了一种用于抛光垫研磨盘的氮气输送装置，包含：氮气输送管道，该氮气输送管道分别连接外部的氮气源与抛光垫研磨盘；气阀，该气阀设置在氮气输送管道上。本发明能够控制氮气的开关，并与抛光垫研磨盘的工作进程同步；减少了氮气的使用量，大大节...

一种用于化学机械研磨制程的激光衬垫窗口，该激光衬垫窗口为设置在研磨衬垫上的通孔阵列，该通孔阵列包含若干沿直线排列的通孔，通孔的两端的形状为弧形，这两端的方向与研磨衬垫的直径方向垂直。本发明可以解决传统聚合物类硬质窗口划伤晶圆和由于窗口被...

本发明公开了一种用于化学研磨机台的水箱系统，包含：水箱，所述的水箱设置在外部的化学研磨机台的一侧，该水箱中放置待用的晶片，该水箱连接外部的去离子水管道，该去离子水管道向水箱中输入去离子水以保持晶片湿润；第一空气阀，所述的第一空气阀设置在...

本发明公开一种低压差线性稳压器，包括误差放大器、调整管及取样电路，其中，该低压差线性稳压器还包括一低阻抗的缓冲电路，该缓冲电路接于该误差放大器与该调整管间，以使非主极点移到更高频率，该稳压器的输出端形成的主极点与非主极点的距离加大，使低...

一种芯片封装结构和芯片封装方法。芯片封装结构包括芯片、引线框架和连接结构；引线框架包括第一焊盘；芯片包括第二焊盘；一个第二焊盘通过一个连接结构与一个第一焊盘连接，连接结构包括两条以上相互并联的键合线，且连接结构的电感值等于目标电感值。芯...

本发明提供了一种COMS图像传感器及其制作方法，其中，所述制作方法包括：在半导体衬底表面形成第一掺杂区；依次形成栅极氧化层和栅极多晶硅；在所述半导体衬底内部形成第二掺杂区；沉积介质层，通过曝光与刻蚀工艺形成侧墙；在所述半导体衬底表面形成...

本发明公开了一种装有垫片的射频线圈连接器，包含：连接器，该连接器连接射频电缆与射频线圈，该连接器与射频线圈支撑座之间具有空隙；垫片，该垫片卡设在连接器与射频线圈支撑座之间。本发明能够防止射频线圈连接器产生电弧，从而避免拱顶温度错误。