本发明公开一种控制栅极电压译码电路，至少包括：地址译码器，用于将n比特的地址信号译码后产生2n比特的控制栅极选择信号及其反相信号；多路选择器，在擦写许可信号控制下对地址译码器输入的控制栅极选择信号进行选择产生所需控制栅极信号输出；电平位...

一种锁相环电路。所述锁相环电路包括：鉴频鉴相器、压控振荡器和电压提供电路，所述鉴频鉴相器适于根据参考信号和所述压控振荡器的输出信号的比较结果输出控制信号；所述电压提供电路适于在第一阶段向所述压控振荡器的电压输入端提供起振电压信号，在第二...

一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体基底，所述半导体基底包括像素阵列区和周边器件区；位于所述像素阵列区内的若干像素单元，所述像素单元之间通过第一浅沟槽隔离结构相隔离；位于所述周边器件区内的逻辑电路器件，所述逻辑电路器件...

本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：步骤一：提供一衬底；步骤二：在衬底上依次沉积形成金属层和第一介质层；步骤三：刻蚀第一介质层和金属层，形成金属连线和金属连线上的第一介质层图案，暴露出部分衬底；步骤四：在衬底和第一介质层图案上沉...

本发明提供一种晶圆测试的方法，该晶圆测试的方法对待测试的晶圆沿着两个相互垂直的方向分别进行测试，当晶圆测试受到测试本身因素的影响时，不同的方向上的测试结果会呈现出明显的区别分布，这样，可以直接从测试结果中分辨出测试结果的良率分布是否受到...

本发明提出一种内建耐力测试系统、老化测试装置及相应的耐力测试方法，内建耐力测试系统包括一供电端、一接地端、一时钟端以及一输出端；所述内建耐力测试系统通过所述供电端、接地端和时钟端启动，并对一芯片进行耐力测试，并通过所述输出端输出耐力测试...

一种涂布设备的热处理腔室，包括：热处理基板，所述热处理基板用于对置于热处理基板上的晶圆进行加热或冷却，所述热处理基板中具有贯穿热处理基板厚度的若干通孔；若干支撑顶针，所述支撑顶针位于热处理基板的下方，所述支撑顶针包括针体和位于针体下端的...

一种CMOS图像传感器结构，包括：衬底、布置在衬底上的氧化硅层、布置在氧化硅层上的第一氮化硅层、布置在第一氮化硅层上的第二氮化硅层、在第二氮化硅层上邻接布置的多个彩色滤光片、和分别布置在各个彩色滤光片上的多个微透镜；在氧化硅层和第一氮化...

一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅极；在所述栅极的周围形成侧墙；在所述侧墙两侧的衬底内进行离子注入，形成源极和漏极；形成源极和漏极后，去除介电常数大于3.8的侧墙部分。本发明中，将介电常数大于3.8的侧墙去除，可以...

一种多晶硅层的形成方法，包括：提供基底；将所述基底放入反应腔内；往所述反应腔内通入含硅气体和第一掺杂气体，在所述基底上形成掺杂硅材料层；形成所述掺杂硅材料层后，往所述反应腔内通入流速为200～700sccm的第二掺杂气体，形成掺杂多晶硅...

一种多晶硅薄膜层淀积方法，包括：提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料层，各材料层位于不同区域，或者，至少两个所述基底表面形成有不同的材料层；将所述基底放入反应腔；往所述反应腔内通入预淀积气体，进行预淀积，在所述基底上形成第一多晶硅薄...

一种制程水装置，包括：水槽，所述水槽用于承载液体，所述液体用于对半导体制造工艺装置进行热置换；位于水槽内的冷水管道，所述冷水管道部分或全部位于水槽内的液面以下，所述冷水管道用于冷却水槽内的液体；位于所述水槽侧壁的注水口，液体通过所述注水...

一种射频器件的形成方法，包括：提供包括背衬底、覆盖所述背衬底的隐埋氧化物层、以及覆盖所述隐埋氧化物层的顶层半导体层的绝缘体上半导体层，所述顶层半导体层表面形成有晶体管和覆盖所述晶体管的层间介质层；提供表面平整的临时支撑层，将层间介质层表...

一种电容结构及其形成方法，所述电容结构包括至少一个第一导电层、覆盖所述第一导电层表面的介电层和位于所述介电层表面的至少两个分立的第二导电层，所述第二导电层在第一导电层平面上的投影位于第一导电层内，且两个分立的第二导电层对应一个第一导电层...

本发明提供了一种引线焊盘及集成电路。所述引线焊盘包括：一衬底；形成于所述衬底上的金属连线；形成于所述金属连线上的介质层，所述通孔贯穿所述介质层并被导电材料填充，在所述通孔中具有一贯穿所述导电材料的孔洞；形成于所述介质层、通孔和孔洞上的金...

本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元周围的所述第一器件区的表面具有自下至上依次层叠的第一器件氧化物层、第一多晶硅层、所述介...

一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；形成位于所述基底内的浅沟槽；形成位于所述基底表面的晶体管，所述晶体管位于被浅沟槽包围的区域；形成覆盖所述晶体管的层间介质层，所述层间介质层填充满所述浅沟槽。由于浅沟槽在形成晶体管后被填充，避免了...

一种半导体处理设备，包括：待降温组件；冷却液管道，利用所述冷却液管道中的冷却液将待降温组件降温；冷却液供应单元，所述冷却液供应单元通过导管和导管接口与冷却液管道相连接，利用所述冷却液供应单元将冷却液循环通入到冷却液管道；漏液感应单元，所...

本发明提供了一种提高非易失性存储器可靠性的方法，包括：步骤一：提供一非易失性存储器，所述非易失性存储器具有多个本体存储单元和至少一个冗余存储单元；步骤二：使用ECC算法对非易失性存储器进行纠错；步骤三：当发现有一个本体存储单元发生损坏时...

一种探针卡的检测方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆上分布多个导电区，至少两个导电区电连接且任意一个导电区只与一个导电区电连接；将所述探针卡上的探针与晶圆上的导电区对位；测得与电连接的两个导电区对位的两个探针之间的接触电阻；若所述接触电阻位...