【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电容结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底表面的绝缘层，位于所述绝缘层表面的至少一个第一导电层，覆盖所述第一导电层和绝缘层表面的介电层，位于所述介电层表面的至少两个分立的第二导电层，所述第二导电层在第一导电层平面上的投影位于第一导电层内，且两个分立的第二导电层对应一个第一导电层，使得第二导电层和对应的第一导电层之间的电容形成电容串联结构，位于所述电容串联结构两端的两个第二导电层作为电容结构的两个电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许丹，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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