一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构，其包括机箱，以及位于机箱内的散热器、IGBT、电解电容，散热器位于IGBT的底部，电解电容的底部与机箱、散热器之间形成有风道，机箱上开设有进风口，进风口与风道连通；电解电容的正极、负极均高于IGBT的正极、负极，电解电容的正极通过正母排与IGBT的正极连接，电解电容的负极通过负母排与IGBT的负极连接，正母排与负母排相互叠置，且正母排与负母排之间设有第一绝缘片。从电解电容到IGBT之间的正母排和负母排全部相互叠置，既不影响风道散热，又使电感减到最小，提高产品的可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及变频器的电解电容与IGBT的连接结构。
技术介绍
目前市场上的变频器从电解电容到IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)的母线铜排走法主要有以下两种1、如图1所示，电解电容3正极、负极和IGBT 4出线端平齐，这样从电解电容3到IGBT 4的正母排6、负母排8在中间加绝缘隔片7，形成叠层母排，这样的弊端是电解电容3必须和IGBT 4平齐，这样电解电容4在风道5中的高度就比较低，在风道5里的体积也就比较大，阻碍了风道5，使变频器散热受到影响。2、如图2所示，电解电容30正极、负极比IGBT 40高，正母排60、负母排80叠层后，在与IGBT 40连接的中间折弯，两个母排不同时折弯(也就是说，折弯后不再叠层)。这种方式，电解电容30抬高，不再阻挡风道50，但是两个母排折弯后没有重叠会形成比较大的寄生电感,对整机的可靠性不利。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构，其能解决可靠性差的问题。为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案如下一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构，其包括机箱，以及位于机箱内的散热器、IGBT、电解电容，散热器位于IGBT的底部，电解电容的底部与机箱、散热器之间形成有风道，机箱上开设有进风口，进风口与风道连通；电解电容的正极、负极均高于IGBT的正极、负极，电解电容的正极通过正母排与IGBT的正极连接，电解电容的负极通过负母排与IGBT的负极连接，正母排与负母排相互叠置，且正母排与负母排之间设有第一绝缘片。优选的，IGBT的一侧连接有并联输出铜排，正母排或负母排与并联输出铜排之间设有第二绝缘片。优选的，正母排、负母排均由铜材料制成。本技术具有如下有益效果从电解电容到IGBT之间的正母排和负母排全部相互叠置，既不影响风道散热，又使电感减到最小，提闻广品的可罪性。附图说明图1为现有技术的一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构的示意图；图2为现有技术的另一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构的示意图；图3为本技术实施例一的变频器的电解电容与IGBT的连接结构的示意图；图4为本技术实施例二的变频器的电解电容与IGBT的连接结构的示意图。附图标记:100、机箱;200、散热器;300、电解电容;400、IGBT ;500、风道;600、正母排；700、第一绝缘片；800、负母排；1100、进风口 ；9、第二绝缘片；10、并联输出铜排。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述实施例一如图3所示，一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构，其包括机箱100，以及位于机箱100内的散热器200、IGBT 400、电解电容300，散热器200位于IGBT 400的底部，电解电容300的底部与机箱100、散热器200之间形成有风道500，机箱100上开设有进风口1100，进风口 1100与风道500连通；电解电容300的正极、负极均高于IGBT 400的正极、负极，电解电容300的正极通过正母排600与IGBT 400的正极连接，电解电容300的负极通过负母排800与IGBT 400的负极连接，正母排600与负母排800相互叠置，即正母排600与负母排800之间同时折弯，实现全程叠层，且正母排600与负母排800之间设有第一绝缘片 700。正母排600、负母排800均由铜材料制成。实施例二如图4所示，本实施例与实施例二的区别在IGBT还具有并联输出端。具体的，IGBT400的一侧连接有并联输出铜排10，负母排800与并联输出铜排10之间设有第二绝缘片9，以增大负母排800与IGBT 400的并联输出铜排10之间的安规距离。将正负母排从电解电容到IGBT整段全部叠在一起，中间通过绝缘片隔离，使正负母排围成的面积几乎降到最小，使其产生的寄生电感降到最小，这样就会大大提高变频器产品的稳定性，从整体结构上看，整齐大方。对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构，其特征在于，包括机箱，以及位于机箱内的散热器、IGBT、电解电容，散热器位于IGBT的底部，电解电容的底部与机箱、散热器之间形成有风道，机箱上开设有进风口，进风口与风道连通；电解电容的正极、负极均高于IGBT的正极、负极，电解电容的正极通过正母排与IGBT的正极连接，电解电容的负极通过负母排与IGBT的负极连接，正母排与负母排相互叠置，且正母排与负母排之间设有第一绝缘片。

【技术特征摘要】
1.一种变频器的电解电容与IGBT的连接结构，其特征在于，包括机箱，以及位于机箱内的散热器、IGBT、电解电容,散热器位于IGBT的底部，电解电容的底部与机箱、散热器之间形成有风道，机箱上开设有进风口，进风口与风道连通；电解电容的正极、负极均高于IGBT的正极、负极，电解电容的正极通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李运明，
申请(专利权)人：江苏吉泰科电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：