一种适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置，其中，所述半导体设备包含传输腔，呈星型设置在所述传输腔周围的第一片匣、第二片匣和若干处理腔；所述抽真空装置包含真空泵，连接所述真空泵和传输腔、第一片匣以及第二片匣的抽气管道，以及设置在所述抽气管道上的阀门系统；特点是，所述阀门系统包含一设置在传输腔和真空泵之间的抽气管道上的单向阀门，仅允许传输腔中的气体流出，不允许气体回流至传输腔中。本发明专利技术在半导体设备的任何运行情况下，都能有效避免从片匣中抽出的高压气体回流至传输腔中，并对传输腔中的晶片造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置
本专利技术属于半导体制造
，涉及一种应用于半导体设备的抽真空装置，尤其是指一种应用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置。
技术介绍
现有技术中，具有多处理腔的半导体设备大多用来在真空状态下对晶片表面进行刻蚀处理，如图1所示，其包含传输腔1，以及呈星型设置在所述传输腔I周围的两个片匣(第一片匣2和第二片匣3)和若干处理腔4。每个处理腔4分别通过一隔离阀与所述传输腔I连接，且每个处理腔4中分别设置有载片台，用于对晶片进行处理时承载并定位晶片。所述传输腔I的底面中央设置有传输机械手11，通过该传输机械手11将所述第一片匣2或第二片匣3中的待处理晶片经由传输腔I分别传输至处理腔4中进行刻蚀处理，并且通过该传输机械手11将在处理腔4中完成刻蚀处理的晶片经由传输腔I回传至第一片匣2或第二片匣3中。由于所述的具有多处理腔的半导体设备均是在真空状态下对晶片进行半导体制备和处理的，因此，其还包含一抽真空装置。如图2所示，该抽真空装置包含干式真空泵51，连接所述干式真空泵51和传输腔1、第一片匣2以及第二片匣3的抽气管道，以及设置在所述抽气管道上的阀门系统。其中，所述抽气管道包含:汇总管道52，其一端与所述干式真空泵51连接；传输腔支管53，其一端与所述传输腔I连接；第一片匣支管54，其一端与所述第一片匣2连接；第二片匣支管55，其一端与所述第二片匣3连接；且所述传输腔支管53、第一片匣支管54以及第二片匣支管55的另一端均与所述汇总管道52的另一端连接。所述阀门系统包含分别设置在传输腔支管53、第一片匣支管54以及第二片匣支管55上的第一双向阀门56、第二双向阀门57和第三双向阀门58。由于在上述的真空半导体制程设备中，传输腔和两个片匣之间共用同一个干式真空泵，因此所述的阀门系统具备连锁功能，即在设备自动运行过程中，分别设置在传输腔支管、第一片匣支管以及第二片匣支管上的3个双向阀门之间是不能同时打开的。但是在日常的工作运行中，为了有效提高所述真空半导体设备对晶片进行半导体处理的效率，通常会在晶片正在处理腔4内进行相应半导体处理的同时，手动操控真空半导体设备，使得同时完成晶片在传输腔I的晶片存储区和片匣之间的传送。具体过程如下所述。真空半导体设备在正常自动运行状态下，第一片匣2打开，将待处理晶片传送至传输腔I内的晶片存储区。此时第一片匣支管54上的第二双向阀门57打开，真空泵51通过第一片匣支管54和汇总管道52对第一片匣2抽真空，确保该第一片匣2与传输腔I连通时处于真空状态。当完成待处理晶片的传送后，关闭第一片匣2，也同时关闭第二双向阀门57。接着传输腔I内的传输机械手11会将晶片依次送入对应的处理腔4中对晶片进行半导体处理。当晶片在各个处理腔4和传输腔I之间进行传送的过程中，如果传输腔I内的压力上升直至高于200mt (毫托，压力单位，表示毫米汞柱)时，传输腔支管53上的第一双向阀门56会自动打开，使真空泵51通过传输腔支管53和汇总管道52对传输腔I抽真空。在上述晶片在处理腔4中进行半导体处理的同时，为了加快制程且节约时间，此时操作人员会手动打开第二片匣3，将下一个制程中待处理的晶片传送至传输腔I的晶片存储区，完成准备工作。同样，在打开第二片匣3时，第二片匣支管55上的第三双向阀门58也被打开，使得真空泵51通过第二片匣支管55和汇总管道52对第二片匣3抽真空，确保该第二片匣3与传输腔I连通时处于真空状态。当完成待处理晶片的传送后，关闭第二片匣3，也同时关闭第三双向阀门58。然而，在上述半导体设备的运行过程中，无法避免的会发生以下情况，即晶片正在处理腔4和传输腔I之间传送，且第一双向阀门56打开,真空泵51正对传输腔I抽真空；而与此同时，被手动打开的第二片匣3完成待处理晶片的传送并关闭第三双向阀门58。如图2所示，此时，从第二片匣3中抽取出的高压气体中的部分将无法避免的会通过打开的第一双向阀门56而回流至传输腔I中，从而对位于传输腔I中的晶片造成损伤，使得晶片报废。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置，在半导体设备的任何运行情况下，都能有效避免从片匣中抽出的高压气体回流至传输腔中，并对传输腔中的晶片造成损伤。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案是提供一种适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置，其中，所述半导体设备包含传输腔，以及呈星型设置在所述传输腔周围的第一片匣、第二片匣和若干处理腔；所述抽真空装置包含真空泵，连接所述真空泵和传输腔、第一片匣以及第二片匣的抽气管道，以及设置在所述抽气管道上的阀门系统；特点是，所述阀门系统包含一设置在传输腔和真空泵之间的抽气管道上的单向阀门，仅允许传输腔中的气体流出，不允许气体回流至传输腔中。所述抽气管道包含:汇总管道，其第一端与所述真空泵连接；传输腔支管，其第一端与所述传输腔连接；第一片匣支管，其第一端与所述第一片匣连接；第二片匣支管，其第一端与所述第二片匣连接；且所述传输腔支管、第一片匣支管以及第二片匣支管的第二端均与所述汇总管道的第二端连接。所述阀门系统还包含分别设置在传输腔支管、第一片匣支管以及第二片匣支管上的第一双向阀门、第二双向阀门和第三双向阀门。所述单向阀门设置在第一双向阀门和汇总管道之间的传输腔支管上。所述单向阀门设置在第一双向阀门和传输腔之间的传输腔支管上。所述真空泵为干式真空泵。综上所述，本专利技术所提供的适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置，在半导体设备的任何运行情况下，都能有效避免从片匣中抽出的高压气体回流至传输腔中的情况发生，从而避免对位于传输腔中的晶片造成损伤。因此操作人员能够放心的在晶片进行半导体处理的同时，手动控制片匣将下一个半导体制程中待处理的晶片送入传输腔中等待，能够有效节省晶片制备时间，提闻生广效率且提闻晶片成品优良率。【附图说明】图1是现有技术中具有多处理腔的半导体设备的结构示意图；图2是现有技术中用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置的结构示意图；图3为本专利技术中用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置的结构示意图。【具体实施方式】以下结合图1和图3，以型号为TEL Unity Me的半导体设备为例，详细描述本专利技术的【具体实施方式】。如图1所示，所述TEL Unity Me半导体设备是具有多处理腔的半导体设备，其包含传输腔1，以及呈星型设置在所述传输腔I周围的两个片匣(第一片匣2和第二片匣3)和3个处理腔4。如图3所示，所述抽真空装置包含真空泵51，连接所述真空泵51和传输腔1、第一片匣2以及第二片匣3的抽气管道，以及设置在所述抽气管道上的阀门系统。其中，所述真空泵为干式真空泵。所述抽气管道包含:汇总管道52，其第一端与所述真空泵51连接；传输腔支管53，其第一端与所述传输腔I连接；第一片匣支管54，其第一端与所述第一片匣2连接；第二片匣支管55，其第一端与所述第二片匣3连接；且所述传输腔支管53、第一片匣支管54以及第二片匣支管55的第二端均与所述汇总管道52的第二端连接。所述阀门系统包含分别设置在传输腔支管53、第一片匣支管54以及第二片匣支管55上的第一双向阀门56、第二双向阀门57和第三双向阀门58 ;特点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置，所述半导体设备包含传输腔（1），以及呈星型设置在所述传输腔（1）周围的第一片匣（2）、第二片匣（3）和若干处理腔（4）；其特征在于，所述抽真空装置包含真空泵（51），连接在所述真空泵（51）和传输腔（1）、第一片匣（2）以及第二片匣（3）之间的抽气管道，以及设置在所述抽气管道上的阀门系统；所述阀门系统包含一设置在传输腔（1）和真空泵（51）之间的抽气管道上的单向阀门（59），仅允许传输腔（1）中的气体流出，不允许气体回流至传输腔（1）中。

【技术特征摘要】
1.一种适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置，所述半导体设备包含传输腔(1)，以及呈星型设置在所述传输腔(I)周围的第一片匣(2)、第二片匣(3)和若干处理腔(4);其特征在于， 所述抽真空装置包含真空泵(51)，连接在所述真空泵(51)和传输腔(I)、第一片匣(2)以及第二片匣(3)之间的抽气管道，以及设置在所述抽气管道上的阀门系统； 所述阀门系统包含一设置在传输腔(I)和真空泵(51)之间的抽气管道上的单向阀门(59)，仅允许传输腔(I)中的气体流出，不允许气体回流至传输腔(I)中。2.如权利要求1所述的适用于具有多处理腔的半导体设备的抽真空装置，其特征在于，所述抽气管道包含: 汇总管道(52)，其第一端与所述真空泵(51)连接； 传输腔支管(53)，其第一端与所述传输腔(I)连接； 第一片匣支管(54)，其第一端与所述第一片匣(2)连接； 第二片匣支管(55)，其第一端与所述第二片匣(3)连...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴红帅，王旭东，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：