本实用新型专利技术涉及一种废气物吸收装置及半导体制作系统，尤其涉及一种用于半导体集成电路制作过程中的废弃物吸收装置及半导体制作系统。其中废弃物吸收装置包括用于吸收半导体刻蚀腔体正产生的废弃物的中空吸收体，所述吸收体具有吸收废弃物的入口以及将从所述入口进入所述吸收体的废弃物排入酸碱排气系统的出口，所述出口与处于负压状态的酸碱排气系统连通。本实用新型专利技术的有益效果是：解决了半导体刻蚀腔体保养时产生的毒性废气和悬浮颗粒物对洁净室环境的污染，且利用酸碱排气系统节省成本。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
废气物吸收装置及半导体制作系统
本技术涉及一种废弃物吸收领域，尤其涉及一种用于半导体集成电路制作过程中的废气物吸收装置及半导体制作系统。
技术介绍
半导体晶圆制造干法铝刻蚀工艺一般采用氯气，三氯化硼，氮气，三氟甲烷等气体，其中氯气和三氯化硼都是剧毒气体。现今6寸制造工厂的干法铝刻蚀机一般以应用材料8330为主，该类型机台刻蚀腔体庞大，腔体内壁副产物多并且对人体具有很大的危害性，即使按照机台保养手册做保养预处理，强烈刺鼻的危害性气体和悬浮颗粒物依然存在于整个保养区域。目前行业内常用的保养方式是首先隔离需保养机台所在的区域，保养人员佩戴压缩空气和防毒面罩进行保养，腔体内壁副产物清除干净之后卸下佩戴的压缩空气和防毒面罩，然后需保养机台所在的区域解除隔离。保养过程中刻蚀腔体内副产物与清洗液体产生的毒性气体和悬浮颗粒物弥漫整个工作区域，这种毒性气体和悬浮颗粒物对洁净室环境造成污染，严重威胁了工作人员的健康，同时在隔离期间影响了同区域其他同事的工作。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提供一种废弃物吸收装置及半导体制作系统，改善半导体制作的环境。为了达到上述目的，本技术采用的技术方案是:一种废弃物吸收装置，包括用于吸收半导体刻蚀腔体正产生的废弃物的中空吸收体，所述吸收体具有吸收废弃物的入口以及将从所述入口进入所述吸收体的废弃物排入酸碱排气系统的出口，所述出口与处于负压状态的酸碱排气系统连通。本技术还提供一种半导体制作系统，包括上述的废弃物吸收装置，以及半导体刻蚀腔体。进一步的，还包括用于控制所述吸收体与所述酸碱排气系统通断的控制阀，设置在所述出口处。进一步的，所述吸收体为锥台状，所述入口的截面积大于所述出口的截面积。进一步的，所述入口的截面积不小于半导体刻蚀腔体的面积。进一步的，所述吸收体还设有卷帘，所述卷帘的一端与所述吸收体设有所述入口的一端连接，所述卷帘的另一端为自由端。进一步的，所述卷帘采用塑胶制作。进一步的，所述吸收体的外壁上设有用于将所述吸收体悬挂于半导体刻蚀腔体上方的天花板的悬挂提手。本技术的有益效果是:解决了半导体刻蚀腔体保养时产生的毒性废气和悬浮颗粒物对洁净室环境的污染，且利用酸碱排气系统节省成本。【附图说明】图1表示本技术废弃物吸收装置结构示意图；图2表示本技术废弃物吸收装置俯视图。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的结构和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本技术，并非以此限定本技术的保护范围。如图1和图2所示，本实施例提供一种废弃物吸收装置，包括用于吸收半导体刻蚀腔体正产生的废弃物的中空吸收体1，所述吸收体I具有吸收废弃物的入口 11以及将从所述入口 11进入所述吸收体I的废弃物排入酸碱排气系统的出口 12，所述出口 12与处于负压状态的酸碱排气系统连通。利用处于负压状态的酸碱排气系统解决了半导体刻蚀腔体保养时产生的毒性废气和悬浮颗粒物对洁净室环境的污染，为工作人员提供安全的工作环境，本实施例废弃物吸收装置结构简单方便且利用酸碱排气系统节省成本。本实施例还提供一种半导体制作系统，包括上述的废弃物吸收装置，以及半导体刻蚀腔体(图中未示)。所述废弃物吸收装置还包括用于控制所述吸收体I与酸碱排气系统通断的控制阀13，设置在所述出口 12处。所述控制阀13可以是手动阀，也可以是自动阀，在工作人员工作时，打开所述控制阀13，通过酸碱排气系统的负压，半导体刻蚀腔体保养时产生的毒性废气和悬浮颗粒物通过吸收体I被吸入酸碱排气系统，为工作人员提供安全的工作环境；工作人员工作结束之后可将控制阀13关闭，节约资源。本实施例中，所述控制阀13采用手动阀，其结构形式可以有多种，本实施例中，所述控制阀13包括圆形挡板和手柄，所述出口 12为中空圆柱形结构，圆形挡板设置与所述出口 12的内部，其直径与所述出口 12的内径相同，所述手柄一端与所述圆形挡板连接，另一端穿过所述出口 12外露于所述出口 12的外部，转动所述手柄使得圆形挡板与所述出口 12的轴向相垂直，控制阀13关闭，废弃物无法通过出口 12进入酸碱排气系统，转动手柄使得圆形挡板与出口 12的轴向平行，控制阀完全打开，废弃物通过出口 12排入酸碱排气系统。所述吸收体I为锥台状,所述入口 11的截面积大于所述出口 12的截面积。所述吸收体I也可以采用其他入口截面积大于出口截面积的形状，利于空气中的废气物的吸收。所述入口 11的截面积不小于半导体刻蚀腔体的面积。废弃物吸收装置的设置是为了解决半导体刻蚀腔体保养时产生的毒性废气和悬浮颗粒物对洁净室环境的污染，入口 11的截面积不小于半导体刻蚀腔体的面积更有效的保证废弃物的吸收，以提供安全的工作环境。所述吸收体I还设有卷帘14，所述卷帘14的一端与所述吸收体I设有所述入口11的一端连接，所述卷帘14的另一端为自由端。卷帘14的设置避免了废弃物吸收装置对半导体刻蚀腔体周围的其他工作人员的影响，在工作时，工作人员可将其卷起以方便工作。所述卷帘14采用塑胶制作。所述吸收体I也可以采用塑胶制作以节省成本。所述吸收体I的外壁上设有用于将所述吸收体I悬挂于半导体刻蚀腔体上方的天花板的悬挂提手15。以上所述为本技术较佳实施例，应当指出，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本技术所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种废弃物吸收装置，其特征在于，包括用于吸收半导体刻蚀腔体正产生的废弃物的中空吸收体，所述吸收体具有吸收废弃物的入口以及将从所述入口进入所述吸收体的废弃物排入酸碱排气系统的出口，所述出口与处于负压状态的酸碱排气系统连通。
【技术特征摘要】
1.一种废弃物吸收装置，其特征在于，包括用于吸收半导体刻蚀腔体正产生的废弃物的中空吸收体，所述吸收体具有吸收废弃物的入口以及将从所述入口进入所述吸收体的废弃物排入酸碱排气系统的出口，所述出口与处于负压状态的酸碱排气系统连通。2.—种半导体制作系统，其特征在于，包括权利要求1所述的废弃物吸收装置，以及半导体刻蚀腔体。3.根据权利要求2所述的半导体制作系统，其特征在于，所述废弃物吸收装置还包括用于控制所述吸收体与所述酸碱排气系统通断的控制阀，设置在所述出口处。4.根据权利要求2所述的半导体制作系统，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘要洪，李方华，陈定平，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司， 深圳方正微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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