一种MOCVD半导体处理装置及制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种MOCVD半导体处理装置及其制作方法，所述半导体处理装置包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述腔室内具有多个处理部件，所述半导体处理装置还包括：抗刻蚀层，覆盖于所述处理腔室和/或处理部件的暴露于等离子体的表面，所述抗刻蚀层用于抵抗等离子体的刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件。本发明专利技术利用抗刻蚀层对处理腔室和处理部件进行保护，防止所述处理腔室和处理部件受到等离子体的损伤，并提高处理腔室和处理部件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
—种MOCVD半导体处理装置及制作方法本申请为申请日为2011年7月26号，申请号为201110210146.5，专利技术名称为“抗刻蚀层、半导体处理装置及处理方法”的分案申请。
本专利技术涉及半导体
，特别涉及抗刻蚀层、半导体处理装置及其制作方法。
技术介绍
MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic Chemical VaporDeposition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(IO-1OOTorr)的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，并采用H2作为载气(CarrierGas)，衬底温度为500-1200°C，用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡方式携带金属有机物到生长区。具体请结合图1所示的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOCVD半导体处理装置，包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述等离子体用于进行原位化学清洁，所述处理腔室内具有多个处理部件，其特征在于，还包括：抗刻蚀层，覆盖于所述处理腔室和/或处理部件的暴露于等离子体的表面，所述抗刻蚀层用于在进行原位化学清洁时抵抗等离子体的刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件，所述抗刻蚀层的材质为陶瓷材质，所述陶瓷材质为Y2O3、Al2O3、YAG、YF3、Er2O3、Gd2O3、RhO2、Ir2O3、AlN、SiC、Si3N4中的一种或者其中的组合。

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD半导体处理装置，包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述等离子体用于进行原位化学清洁，所述处理腔室内具有多个处理部件，其特征在于，还包括: 抗刻蚀层，覆盖于所述处理腔室和/或处理部件的暴露于等离子体的表面，所述抗刻蚀层用于在进行原位化学清洁时抵抗等离子体的刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件，所述抗刻蚀层的材质为陶瓷材质，所述陶瓷材质为Y203、A1203、YAG, YF3> Er2O3> Gd2O3>RhO2, lr203、AIN、SiC、Si3N4中的一种或者其中的组合。2.如权利要求1所述的MOCVD半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质与所述抗刻蚀层的材质相同或者不相同。3.如权利要求1所述的MOCVD半导体处理装置，其特征在于，所述处理腔室和/或所述处理部件的材质为不锈钢材料。4.一种MOCVD半导体处理装置制造方法，包括: 提供处理腔室或处理部件，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，所述处理腔室还用于容纳等离子体和所述处理部件；所述等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺小明，倪图强，万磊，杨平，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31