一种化学机械研磨后的清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种化学机械研磨后的清洗装置，包括兆声波水槽和水槽中设置的用于夹持并固定晶圆的滚筒，滚筒包括法兰形的第一滚筒部分和第二滚筒部分，二个滚筒部分通过其法兰形的法兰管部相互活动套接，在二个滚筒部分的法兰管套接面设有轴向移动导向结构，第一滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接滚筒转动驱动单元，第二滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接移动驱动单元，使用于夹持晶圆的二个法兰口之间的间距可以调节，避免了在滚筒夹持变形晶圆时，因晶圆的平面高度变大而对晶圆造成侧向挤压，从而消除了清洗过程中晶圆破片的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械研磨后的清洗装置
本专利技术涉及半导体制造
，更具体地，涉及一种在化学机械研磨后的晶圆清洗时可防止在清洗过程中破片的清洗装置。
技术介绍
化学机械研磨平坦化工艺(Chemical Mechanical Polishing,CMP)已成为推动半导体集成电路技术节点不断缩小的关键工艺。目前，CMP已经广泛应用在浅沟槽隔离(STI)平坦化、氧化物(例如层间介质层ILD)平坦化、钨塞(W-plug)平坦化、铜互连平坦化等工艺中。在化学机械平坦化工艺过程中，研磨液中的氧化物颗粒和研磨产物会不断地吸附在晶圆表面，虽然通过研磨头和研磨垫的自转，以及研磨头相对研磨垫中心的径向直线运动可以带走大部分研磨液和研磨产物，但在CMP工艺结束时，仍会有大量残余研磨液以及研磨产物吸附在晶圆表面上。如果不经过及时清洗，这些微粒就会凝结在晶圆表面并无法有效去除。因此，CMP后的清洗工艺非常重要，是提升晶圆良率的重要手段。在化学机械研磨的主研磨过后，需要将晶圆放入清洗装置的兆声波水槽中进行旋转清洗。清洗时，晶圆被水槽中3个沿晶圆圆周分布设置的带有径向卡槽的滚筒所夹持并固定，滚筒带动晶圆旋本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械研磨后的清洗装置，包括兆声波水槽和所述水槽中设置的用于夹持并固定晶圆的滚筒，其特征在于，所述滚筒包括法兰形的第一滚筒部分和第二滚筒部分，二个所述滚筒部分通过其法兰形的法兰管部相互活动套接，在二个所述滚筒部分的法兰管套接面设有轴向移动导向结构，所述第一滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接滚筒转动驱动单元，所述第二滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接移动驱动单元；其中，所述滚筒移动驱动单元带动所述第二滚筒部分作与所述第一滚筒部分的轴向相对移动，并通过调整位移量，将所述晶圆的边部夹持和固定在二个所述滚筒部分的法兰形法兰口部之间，所述滚筒转动驱动单元带动所述第一滚筒部分作径向转动，同时，所述第...

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨后的清洗装置，包括兆声波水槽和所述水槽中设置的用于夹持并固定晶圆的滚筒，其特征在于，所述滚筒包括法兰形的第一滚筒部分和第二滚筒部分，二个所述滚筒部分通过其法兰形的法兰管部相互活动套接，在二个所述滚筒部分的法兰管套接面设有轴向移动导向结构，所述第一滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接滚筒转动驱动单元，所述第二滚筒部分通过其法兰形的法兰口部外接移动驱动单元；其中，所述滚筒移动驱动单元带动所述第二滚筒部分作与所述第一滚筒部分的轴向相对移动，并通过调整位移量，将所述晶圆的边部夹持和固定在二个所述滚筒部分的法兰形法兰口部之间，所述滚筒转动驱动单元带动所述第一滚筒部分作径向转动，同时，所述第一滚筒部分通过所述轴向移动导向结构带动所述第二滚筒部分作同步转动。2.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，相套接的二个所述滚筒部分法兰形的法兰管中，位于内侧的所述法兰管的长度大于位于外侧的所述法兰管的长度。3.如权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，位于内侧的所述法兰管的末端设有限位块。4.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁弋，朱也方，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31