组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，先提供一大基板，该大基板具有复数个容置槽，该容置槽中设置有一海绵以及一渗入该海绵的树脂材料；将复数个研磨单元分别设置于该容置槽中，该研磨单元分别包括一小基板以及复数个固定于该小基板上的大钻石研磨颗粒，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；接着以一刚性模板抵压该大钻石研磨颗粒；然后硬化该树脂材料，使该树脂材料黏着该研磨单元而固定于该大基板上。

Method of manufacturing a large diamond single crystal chemical mechanical grinding trimmer

The invention discloses a manufacturing method of combined large diamond single crystal chemical mechanical polishing dresser, to provide a substrate, the substrate has a plurality of accommodating groove, the holding a sponge and a resin material into the sponge setting groove; a plurality of grinding unit are respectively arranged in the the containing groove, the grinding unit includes a small diamond abrasive particle substrate and a plurality of small fixed on the substrate, the diamond abrasive particles having a particle size of not less than 300 microns; then press the large diamond abrasive particles in a rigid template; then hardening the resin material. The resin adhesive material and the grinding unit is fixed on the substrate.

【技术实现步骤摘要】
组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法
本专利技术涉及一种修整器的制造方法，尤指一种组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法。
技术介绍
在半导体工业中，特别在目前线宽越来越小的发展趋势下，晶圆表面的平坦化步骤更为关键，目前高阶制程已全面使用化学机械研磨技术来达到全面平坦化效果。但在化学机械研磨制程中因为抛光垫会不断的和晶圆产生摩擦，使得抛光垫上的沟纹逐渐消失，且化学机械研磨制程中产生的切削、反应生成物等都会渐渐积存在抛光垫表面的细微沟槽中，容易造成抛光垫钝化、堵塞，导致抛光垫表面劣化，容易对晶圆产生缺陷，因此，研磨垫修整器(paddresser)遂成为化学机械研磨(CMP)制程维持晶圆平坦性、均匀性的关键，用以适度的修整抛光垫，好让抛光垫可以恢复原本的表面特性。
技术实现思路
为了达成上述目的，本专利技术提供一种组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，其特征在于包含以下步骤：提供一大基板，该大基板具有复数个容置槽，该容置槽中设置有一海棉以及一渗入该海棉的树脂材料；将复数个研磨单元设置于该容置槽中，该研磨单元分别包括一小基板以及复数个固定于该小基板上的大钻石研磨颗粒，其中，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；以一刚性模板抵压该大钻石研磨颗粒；以及硬化该树脂材料，使该树脂材料黏着该研磨单元而将该研磨单元固定于该大基板上。因此，相较于习知技术的化学机械研磨垫修整器，本专利技术采用了粒径不小于300微米的大钻石研磨颗粒，在修整研磨垫时，将相较于习知粒径较小的钻石研磨颗粒的修整器具有更好的修整性能；且本专利技术利用该海棉调整该研磨单元的高度，而使该研磨单元上的大钻石研磨颗粒的尖点高度一致性得以提升。附图说明图1至图4为本专利技术一实施例的制造流程示意图；其中，10、大基板；11、容置槽；12、海绵；13、树脂材料；14、上表面；20、研磨单元；21、小基板；22、大钻石研磨颗粒；30、刚性模板；31、抵压面。具体实施方式于下文中，将搭配图式详细说明本专利技术。请参考图1，本专利技术为一种制造具有大钻石单晶的化学机械研磨垫修整器之方法，包括以下步骤：步骤S1：请参阅图1，先提供一大基板10，该大基板10具有复数个容置槽11，将复数个海棉12分别放置于该大基板10的容置槽11，接着如图2所示，将一树脂材料13渗入该海棉12，于本专利技术之一实施例中，该树脂材料13为环氧树脂或酚醛树脂。步骤S2：请参阅图3，将复数个研磨单元20分别设置于该容置槽11中，该研磨单元20分别包括一小基板21以及复数个固定于该小基板21上的大钻石研磨颗粒22，其中，该大钻石研磨颗粒22具有一不小于300微米的粒径。步骤S3：请继续参阅图3，以一刚性模板30的一抵压面31抵压该大钻石研磨颗粒22，使该大钻石研磨颗粒22的突出高度可更趋一致，如图3所示，不同的该研磨单元20的该大钻石研磨颗粒22之间在未以该刚性模板30抵压前，系具有一高度差D，但在以该刚性模板30抵压后，该高度差D将减低或消失。步骤S4：请参阅图4，硬化该树脂材料13，使该树脂材料13黏着该研磨单元20而固定于该大基板10上。因在硬化前，系进行了步骤S3让该小基板21上的该大钻石研磨颗粒22的高度更为平坦，故硬化后各个该大钻石研磨颗粒22相距该大基板10之一上表面14的突出高度差异可缩小，以达高平坦化。于本专利技术之一实施例中，该大钻石研磨颗粒22的粒径不小于500微米；于本专利技术之另一实施例中，该大钻石研磨颗粒22的粒径介于500微米至800微米之间。且，该研磨单元20覆盖该大基板10之面积占该大基板10一表面总面积的40％以下。该研磨单元20根据一图案排列于该大基板10上，该图案可为单圈、双圈、多圈、放射状、螺旋状或其组合。本专利技术系利用该海棉12之一压缩性调整该研磨单元20之大钻石研磨颗粒22的突出高度，即该大钻石研磨颗粒22的尖端至该上表面14的距离。于一实施例中，最高的该研磨单元20中的大钻石研磨颗粒22的尖点与次高的该研磨单元20中的大钻石研磨颗粒22的尖点的高度差小于20微米，最高的该研磨单元20系指全部的大钻石研磨颗粒22中，最高者所处的该研磨单元20，次高的该研磨单元20系指全部的大钻石研磨颗粒22中，次高者所处的该研磨单元20，然此处的该研磨单元20系与最高的该研磨单元20为相异者。于另一实施例中，单一研磨单元20中的大钻石研磨颗粒22的第一高的尖点与第十高的尖点之高度差小于20微米，于又一实施例中，单一研磨单元20中的大钻石研磨颗粒22的第一高的尖点与第一百高的尖点之高度差小于40微米。综上所述，相较于习知技术的化学机械研磨垫修整器，本专利技术采用了粒径不小于300微米的大钻石研磨颗粒，在修整研磨垫时，将相较于习知粒径较小的钻石研磨颗粒的修整器具有更好的修整性能；且本专利技术利用该海棉调整该研磨单元的高度，而使该研磨单元上的大钻石研磨颗粒的尖点高度一致性得以提升。上述实施例仅为了方便说明而举例而已，本专利技术所主张的权利范围自应以权利要求所述为准，而非仅限于上述实施例。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一大基板，该大基板具有复数个容置槽，该容置槽内设置有一海棉以及一渗入该海棉的树脂材料；将复数个研磨单元分别设置于该容置槽中，该研磨单元分别包括一小基板以及一固定于该小基板上的大钻石研磨颗粒，其中，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；以一刚性模板抵压该大钻石研磨颗粒；以及硬化该树脂材料，使该树脂材料黏着该研磨单元而将该研磨单元固定于该大基板上。

【技术特征摘要】
1.一种组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一大基板，该大基板具有复数个容置槽，该容置槽内设置有一海棉以及一渗入该海棉的树脂材料；将复数个研磨单元分别设置于该容置槽中，该研磨单元分别包括一小基板以及一固定于该小基板上的大钻石研磨颗粒，其中，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；以一刚性模板抵压该大钻石研磨颗粒；以及硬化该树脂材料，使该树脂材料黏着该研磨单元而将该研磨单元固定于该大基板上。2.如权利要求1所述的组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，其特征在于，该大钻石研磨颗粒的粒径不小于500微米。3.如权利要求2所述的组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，其特征在于，该大钻石研磨颗粒的粒径介于500微米至800微米之间。4.如权利要求1所述的组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，其特征在于，该树脂材料为环氧树脂或酚醛树脂。5.如权利要求1所述的组合式之大钻石单晶化学机械研磨修整器的制造方法，其特征在于，该研磨单元覆盖该大基板之面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张荣德，宋健民，
申请(专利权)人：福建自贸试验区厦门片区展瑞精芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35